AT49BV322D(T)：32Mbit 专用闪存（2M x 16 / 4M x 8）支持3V操作
产品特性
- 支持单电压读写操作，工作电压范围2.65V至3.6V
- 访问时间70ns
- 扇区擦除架构
- 包含63个32K字（64K字节）扇区，支持独立写保护
- 包含8个4K字（8K字节）扇区，支持独立写保护
- 字编程时间仅需10μs
- 扇区擦除时间不超过100ms
- 支持擦除和编程操作的暂停与恢复功能
- 擦除期间可从其他扇区读取数据
- 编程期间可读取非暂停区域的字节/字
- 低功耗设计
- 工作电流最大为10mA
- 待机电流仅为15μA
- 具备数据轮询、切换位检测及就绪/忙碌状态识别功能
- VPP引脚支持写保护及加速编程
- 支持设备复位初始化
- 具备扇区锁定功能
- 支持TSOP和CBGA封装形式
- 支持顶部或底部启动块配置
- 配置128位保护寄存器
- 擦除次数可达100000次
- 兼容通用闪存接口（CFI）标准
产品概述
AT49BV322D(T)是一款工作电压为2.7V的32Mbit闪存芯片，总容量可配置为2097152个16位字或4194304个8位字节。在x16模式下，数据通过I/O0至I/O15传输；x8模式下，数据则通过I/O0至I/O7。该设备将存储器划分为71个擦除扇区，采用48引脚TSOP或48球CBGA封装。
设备通过CE和OE控制信号避免总线冲突，支持单电源读写，适用于系统内编程（ISP）应用。启动后默认进入读取模式，通过命令序列可切换至编程或擦除模式，确保数据安全性。
设备具备擦除暂停与恢复功能，允许在擦除过程中对其他扇区进行读写。编程或擦除周期的完成状态可通过READY/BUSY引脚、数据轮询或切换位检测。
VPP引脚用于实现数据保护与编程加速。当VPP电压低于0.4V时，编程与擦除操作将被禁用。在1.65V及以上时，支持正常编程与擦除；当达到10V时，可启用双字编程加速功能。
设备支持六字节单脉冲编程模式，以减少编程时间。在此模式下，仅需写控制线上的一个脉冲即可完成字节或字编程。退出方式为断电或向RESET引脚施加低脉冲。需要注意的是，六字节命令通常用于内部编程，不建议在最终产品中使用。
BYTE引脚用于控制数据I/O的字节或字配置模式。在字模式下，I/O0-I/O15处于活动状态；在字节模式下，仅I/O0-I/O7可用，其余I/O引脚为三态。
设备操作
1. 命令序列
设备上电后，根据控制线状态进入读取或待机模式。执行编程、擦除等操作需通过特定命令序列，命令由低脉冲触发，并通过CE或WE控制。地址和数据的锁存遵循标准微处理器写入时序。
2. 读取操作
读取方式与EPROM类似，当CE与OE为低电平、WE为高电平时，地址对应的存储数据被输出。若任一控制线为高，输出则为高阻态。双信号控制机制有助于避免总线冲突。
3. 复位功能
RESET引脚用于控制设备状态。逻辑高电平下设备运行；低电平将中止当前操作并进入高阻态。当RESET恢复高电平时，设备根据控制线状态重新进入读取或待机模式。
4. 擦除操作
在编程前，需对目标单元进行擦除，擦除状态为逻辑“1”。支持芯片擦除与扇区擦除两种方式。
- 芯片擦除：通过六字节命令实现全芯片擦除，无需外部时钟，最大擦除时间为tEC。若部分扇区被锁定，仅未锁定部分被擦除。
- 扇区擦除：设备划分为71个扇区，每个扇区支持独立擦除。六总线周期命令序列启动擦除，最大时间tSEC。若目标扇区被锁定，擦除操作将被终止。
5. 字节/字编程
擦除完成后，可对目标存储块进行字节或字编程（逻辑“0”）。编程过程由设备内部生成脉冲，无需外部干预。在编程过程中，任何写入指令将被忽略。若复位发生，编程数据可能丢失。擦除是唯一能将“0”变回“1”的方式。
6. VPP引脚功能
当VPP电压低于0.4V时，设备无法执行编程与擦除操作。在1.65V及以上时，允许正常编程。VPP引脚不可浮空。
7. 操作状态检测
设备通过多个状态位（I/O 2、3、5、6、7）反映编程或擦除状态，并支持可编程配置寄存器。
- 数据轮询：根据配置寄存器设置，读取操作可返回状态信息，用于判断编程或擦除是否完成。
- 切换位：编程或擦除过程中，I/O 6在1和0之间切换；完成时停止切换并输出有效数据。
- 编程/擦除状态位：反映操作是否在限定脉冲内完成。若状态位为“1”，表示操作失败，需发出退出命令。
- VPP状态位：显示VPP电压是否满足操作要求。若电压不足，状态位为“1”，需退出当前操作。
8. 扇区锁定
设备支持每个扇区独立的编程锁定功能，可防止未经授权的写入。启动代码等重要数据可被锁定，确保其安全性。锁定操作需通过六总线周期命令实现。通电或复位后，所有扇区默认为解锁状态。
9. 擦除暂停与恢复
系统可通过擦除暂停命令中断当前擦除操作，然后访问其他扇区数据。暂停过程最长15μs，恢复命令为单周期操作，适用于芯片或扇区擦除。
10. 编程暂停与恢复
编程暂停功能允许在编程过程中读取其他未受影响的数据区域。暂停时间最长20μs，恢复命令为单周期操作，适用于字节或字编程。
11. 产品标识模式
通过软件命令可访问产品标识模式，识别设备及制造商信息（Atmel）。
12. 128位保护寄存器
设备内置128位寄存器用于安全设计，分为两部分：块A由工厂预设不可更改的唯一标识，块B由用户编程并可锁定。锁定后，块B内容不可修改。访问保护寄存器需先进入产品ID模式，并在操作结束后退出。
13. RDY/BUSY状态引脚
漏极开路的RDY/BUSY引脚提供编程或擦除完成的额外检测方式。在操作过程中该引脚为低电平，完成后释放为高。允许多个设备共用同一RDY/BUSY总线。
14. 通用闪存接口（CFI）
CFI接口提供标准化数据结构，允许系统软件动态查询设备配置和参数。该功能提升了系统的兼容性与可维护性。CFI查询模式通过单周期命令实现，退出需执行产品ID退出命令。
15. 硬件数据保护
为防止误操作，设备提供多重硬件保护机制：
- VCC低于1.8V时禁用编程
- 电源稳定后延时10ms再执行编程
- 任一控制线为高或低时抑制编程
- VPP低于阈值时阻止编程
16. 输入电平兼容性
在2.65V至3.6V供电下，地址和控制输入（OE、CE、WE）支持0至5.5V输入，不会影响设备功能。I/O线输入范围为0至VCC+0.6V。