美光启动全球最大规模存储芯片生产基地建设

美光启动全球最大规模存储芯片生产基地建设

美光公司近日宣布，将在美国纽约州建设一座投资金额高达1000亿美元的存储芯片制造中心，这一项目被确认为纽约州历史上最大的私人资本投入。

经过详尽的环境评估与相关审批程序，项目基地现已具备施工条件，即将进入实质性的建设阶段。该制造中心将规划建设多达四座工厂，致力于打造全球领先的存储半导体生产基地，以应对人工智能、高性能计算等前沿技术对先进存储产品日益增长的市场需求。

据悉，美光早在2022年10月便公布了该项目的初步计划，原定于2024年年中启动施工。但由于涉及超过万页的环境评估报告审查流程，项目进度比原计划推迟了大约一年半。

按照最新施工安排，美光计划在2025年3月31日前完成土地清理，并同步推进铁路支线建设及湿地改造工程。首座工厂预计于2030年投入运营，第二座工厂则计划在三年后启动。若第四座工厂于2045年建成，整个项目预计将创造约9000个直接就业岗位。

全球HBM市场竞争格局

根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，2025年第三季度全球HBM市场中，美光以21%的营收份额位列第三，仅次于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。

在涵盖HBM在内的整体DRAM市场中，市场份额分布为：SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。若美光能够顺利推动其市场占比提升至40%，则有望在存储行业竞争中占据主导地位，成为全球最大的存储芯片制造商。