美光启动全球顶级存储芯片制造基地建设

美光启动全球顶级存储芯片制造基地建设

美光近日宣布，将在纽约州建设一座投资总额高达1000亿美元的存储芯片制造中心，该项目成为该州历史上最大的私人资本投入。

在完成严格的环境评估与相关审批程序之后，美光已顺利推进基地建设的各项准备工作，即将进入实际施工阶段。该项目计划建设多达四座工厂，目标是打造全球最先进的存储半导体制造设施，以应对人工智能等前沿技术领域日益增长的芯片需求。

最初在2022年10月公布的建设计划原定于2024年中动工，但由于涉及上万页的环境评估报告审查流程，整体进度推迟了约18个月。

根据最新进度安排，美光计划在3月31日前完成场地清理工作，并随即开展铁路支线建设与湿地区域的地形调整。首座工厂预计将在2030年投入运营，第二座工厂则将在三年后建成投产。至2045年第四座工厂落成之际，该项目预计将创造近9000个就业岗位。

市场格局与美光目标

根据Counterpoint Research的最新数据，在2025年第三季度全球HBM（高带宽存储器）市场中，美光以21%的营收占比排名第三，仅次于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。

而在涵盖HBM在内的整个DRAM市场中，SK海力士、三星电子与美光的市场份额分别为34%、33%和26%。如果美光能够实现将其市场份额提升至40%的目标，有望在存储芯片行业占据主导地位，跻身全球存储企业之首。