AI持续推升DRAM与NAND Flash市场供需失衡
人工智能的快速发展正深刻影响全球存储市场，2025年，DRAM与NAND Flash行业持续面临供不应求的局面，价格大幅攀升。业界普遍预期，2026年第一季度，DRAM合约价格将再上涨30%左右，DDR4涨幅甚至可能突破50%。NAND Flash方面，预计同期价格也将上涨10%至20%。
DDR4价格的剧烈波动主要源于市场供需结构的失衡。各大DRAM原厂正逐步减少DDR4的生产，将更多资源投入到HBM（高带宽内存）和DDR5等面向AI数据中心的高价值产品。这导致DDR4供应持续受限，市场需求却持续高涨。
据市场数据显示，2025年第四季度，DDR4 8Gb（1G×8、3200）合约价相比第三季度增长了42.9%，现货价格更是暴涨197%。预计2026年第一季度，DDR4合约价格将再涨50%，达到13.5美元，接近现货价格水平。
这一趋势背后，既有上游原厂减少产能供给的因素，也与AI数据中心对存储资源的强烈需求密切相关。AI应用的迅速扩展，不仅排挤了DDR4，也影响到面向消费市场的DDR5。部分客户在DDR4缺货情况下转向DDR5，却发现该产品同样紧俏，不得不重新回到DDR4市场，进一步加剧供需矛盾。
随着DDR4价格不断上扬，其毛利率也随之改善。预计2026年第一季度，DDR4 8Gb产品的合约毛利率有望接近50%，与HBM约60%至70%的毛利率差距缩小，接近DDR5的盈利水平。
市场动态促使部分DRAM厂商重新评估DDR4的停产计划。例如，三星原本计划在2026年初结束DDR4生产，但最新消息显示，该计划或将推迟至年底，并加大与客户签订长期供货合约的力度，以确保产能分配的最大利润。同样，SK海力士也推迟了DDR4的停产时间。
而在利基市场，南亚科技和华邦电子则积极加大资本支出，分别规划中长期投资约1000亿和400亿新台币用于DDR4扩产。然而，新产能最快要到2027年后才逐步释放，短期内难以缓解市场供需紧张。
AI推动的HBM和DDR5需求持续扩大
DDR5市场同样面临严重紧缺。随着AI服务器和高性能计算平台对先进制程的广泛采用，消费级市场的DDR5供应不断被压缩。2026年第一季度，DDR5的缺货风险甚至可能超过DDR4，价格波动将进一步加剧。
当前，AI应用的焦点已从模型训练转向推理运算。推理过程对高速内存芯片（如HBM、GDDR7）的需求剧增。这是因为推理阶段需要保存大量“中间状态数据”，单个用户的内存需求显著上升。
以处理“100万Token”上下文为例，即使采用节省空间的FP8格式，推理所需内存仍可能达到约60GB；若使用FP16格式，需求将增至100GB以上。与当前常见的8K Token约需1GB相比，等效需求放大了60倍，成为AI发展的隐性成本。
根据Google、AWS与OpenAI三大平台的预估，2026年推理端对高性能DRAM的需求合计约750PB，主要由HBM与GDDR7承担。考虑到系统冗余与安全备份，实际有效DRAM需求或将提升至约1.5EB。若计入Meta、Apple的私有云及中国市场的800PB需求，以及新一代模型训练所需约500PB，2026年全球GPU端的高速DRAM需求总计将达3.0EB。
值得注意的是，3.0EB的DRAM需求并非等同于3.0EB的产能消耗。HBM和GDDR7对晶圆产能的占用远高于标准DRAM。行业通常以等效方式折算：1GB HBM约消耗4GB标准DRAM产能，1GB GDDR7约消耗1.7GB标准DRAM产能。
按照2026年全球DRAM总产能约40EB计算，AI应用将占近20%的DRAM产能。但2026年DRAM产能增速仅约10%至15%，这将显著挤压消费电子、智能手机和传统服务器领域的DDR5供给，加剧市场价格上涨压力。
因此，原厂正逐步将资源向HBM、GDDR7等高附加值产品倾斜，传统DRAM（包括DDR4和DDR5）面临更大产能挤压风险。市场预计，2026年存储行业整体价格走势将继续上行。
NAND Flash市场紧随DRAM价格上行
尽管AI对DRAM的影响更为显著，但其对NAND Flash市场同样产生深远影响。在企业级SSD需求的推动下，NAND Flash供应持续吃紧，价格不断上涨。
根据TrendForce调查，2025年11月，NAND Flash需求受AI应用和企业级SSD订单双重驱动，原厂优先调配高阶产品产能，导致旧制程产能快速收缩，晶圆供应愈发紧张。当月主流wafer合约价普遍大幅上涨，各类产品平均月涨幅达20%至60%。
以1Tb TLC为例，由于企业级SSD需求持续增长，该产品供给短缺最严重，均价大幅上涨。512Gb TLC则因旧制程转产，供应急缩，同时市场需求稳定，使其成为当月TLC系列涨幅最高的产品，月涨幅超过65%。256Gb TLC受旧制程退出影响，供给量减少，价格持续走高。
QLC产品方面，由于企业级高容量SSD需求爆发，以及冷存储应用的加速发展，1Tb QLC在11月也出现显著涨价。MLC产品因工控和消费电子需求支撑，均价也呈现上涨趋势。
在企业级SSD需求的带动下，NAND Flash厂商继续采取“优先供应高毛利产品”策略。预计从2025年底开始，这一策略将逐步向消费级SSD与UFS移动存储产品蔓延。
市场普遍认为，2026年1月，NAND Flash价格将上涨10%至20%。