上海光机所成功实现8英寸VB法氧化镓单晶制备
12月29日，据“上海科技”官方公众号报道，12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项的支持下，中国科学院上海光机所携手杭州富加镓业科技有限公司，首次在国际上采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓单晶材料。
作为第四代半导体材料的典型代表，氧化镓凭借其宽禁带和高击穿场强特性，被认为是发展超高压功率器件的重要材料。
上海光机所是国内较早开展氧化镓晶体研究的机构之一，此次与富加镓业合作，重点突破了关键装备研制、高精度热场模拟以及确定性热场设计等核心工艺技术。
在项目推进过程中，双方已取得一系列阶段性成果：2024年7月在国内首次实现3英寸氧化镓晶体的制备；同年12月成功制备4英寸晶体；2025年9月实现6英寸晶体的国产突破；并在2025年12月实现了8英寸晶体的制备，刷新了该方法下的国际最大尺寸纪录。
相较于其他晶体生长方法，VB法具备多项技术优势，被视为推动氧化镓材料大规模产业化的优选路径。该方法无需使用铱金坩埚，大幅降低材料成本；同时具备良好的温度场均匀性和较小的温度梯度，有利于生长大尺寸、高品质晶体；晶体呈柱状结构，有助于提升整体制备效率；且生长过程稳定可控，更适合自动化与批量生产。
展望未来，上海光机所与富加镓业计划联合下游应用企业，加速推进氧化镓材料在器件领域的验证与适配，持续优化材料与器件性能，全力推动其在高端半导体应用中的产业化落地。