三星宣布突破10nm以下DRAM制程技术

三星宣布突破10nm以下DRAM制程技术

三星电子旗下的三星先进技术研究所（SAIT）近日在旧金山举行的第70届国际电子器件会议上，展示了其在DRAM制造领域的一项重要突破。该机构成功开发出一种适用于10nm以下制程节点的新型晶体管，这一进展被视为移动DRAM技术演进中的关键里程碑。

随着制程工艺逐步逼近物理极限，传统方法已难以满足更小节点下的性能与可靠性需求。此次三星提出的新技术，聚焦于将DRAM的制程规模压缩至10nm以下。在结构设计上，三星采用了“单元-外围电路”（Cell-on-Peri，简称CoP）架构，将存储单元直接堆叠于外围电路之上，与现行的外围电路置于存储单元下方的方式形成对比。

这种新型CoP垂直通道DRAM晶体管被命名为“高耐热非晶氧化物半导体晶体管（用于10nm以下节点）”，其核心材料为非晶铟镓氧化物（InGaO）。该材料具备出色的热稳定性，可承受高达550摄氏度的高温工艺，从而有效避免外围电路在堆叠过程中因高温而造成的性能退化。

在测试中，该晶体管的垂直沟道长度达到100nm，并能够与单片CoP DRAM架构实现兼容集成。实验结果显示，漏极电流的劣化程度极低，器件在老化测试中亦表现出良好的稳定性与可靠性。

尽管该技术目前仍处于研发阶段，但业界预计其未来将被用于0a和0b类DRAM产品。随着该技术逐步走向量产，三星在高密度存储器市场的竞争优势有望进一步增强。