台积电熊本晶圆二厂拟提升至4nm制程
12月11日，《日经新闻》报道指出，台积电正评估对其尚未竣工的日本熊本Fab 23第二期晶圆厂进行技术升级，目标是采用更先进的N4制程技术，以在日本本土生产4纳米规格芯片。
对于以台积电为代表的先进晶圆代工企业而言，根据市场需求调整并升级制程技术属于常规操作。
台积电熊本Fab 23第二阶段工厂，即熊本晶圆二厂，总投资额约为139亿美元，已于今年10月动工，预计2027年底投入运营。该项目初期规划为N6（6nm）与N7（7nm）制程，主要服务于自动驾驶、人工智能（AI）等前沿领域。
若报道内容属实，熊本二厂将在原有基础上新增N4与N5制程能力，为日本本地客户提供更高性能的芯片制造服务。
N5与N4制程相较N7与N6系列，在设计规则上存在显著差异，主要体现在前者采用多达14层极紫外光刻（EUV）层，技术等级更高。尽管不同节点的设备存在差异，但整体上N5/N4制程可复用约90%的N7/N6生产设备，使升级路径具备一定可行性。
这意味着台积电在推进熊本二厂向N4/N5升级时，不会遭遇太大障碍。但具体产线仍需重新规划，原因在于N4产线对EUV光刻机数量要求更高，而这类设备比深紫外线光刻机（DUV）更大，布置空间要求也更严格。
早在2023年，台积电已计划在熊本部署N4制程，表明该厂在建设初期已为后续增加EUV设备预留了条件。
值得注意的是，尽管熊本晶圆二厂于10月底进入施工阶段，现场曾出现起重机、挖掘机和打桩机等大型机械作业画面，但12月初拍摄的照片显示，大多数施工设备已撤离现场。此外，设备供应商也收到通知，称建设将暂时中止，但官方尚未披露具体原因。
据相关消息显示，台积电已向其设备供应商说明，2026年全年日本地区不会引入新设备，意味着由于施工进度滞后，熊本晶圆二厂的设备安装工作或将推迟至明年之后。