三菱电机功率半导体技术再升级，以创新产品矩阵驱动可持续未来
在2025年PCIM Asia展会上，三菱电机展示了多款前沿功率半导体产品，涵盖多个核心应用领域，体现了其在中高功率控制、新能源和电动汽车等方向的技术实力。
其中包括专为中功率空调设计的Compact DIPIPMTM与SiC SLIMDIP模块，适用于新能源系统的第八代IGBT模块，面向电动汽车主逆变器的J3系列SiC模块，以及用于轨道牵引和高压输配电的SBD嵌入式SiC模块等创新产品。
媒体发布会聚焦功率器件技术发展与市场策略
2025年9月24日，三菱电机在上海PCIM Asia期间举办“创新功率器件构建可持续未来”主题媒体发布会。公司高管与技术专家围绕半导体业务布局、功率芯片技术路线图以及最新模块产品的技术亮点进行了详细介绍。
三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部总经理赤田智史、功率器件制作所资深研究员Gourab Majumdar博士以及产品战略部部长野口宏一郎博士出席发布会。媒体问答环节由Majumdar博士、野口博士、赤田总经理以及市场总监陈伟雄共同参与，就技术趋势、产品功能和市场规划与媒体展开深入交流。
半导体业务稳健增长，技术与产能持续发力
三菱电机深耕半导体领域已达69年，在电力电子、通信设备及工业自动化等关键市场占据重要地位。其产品线广泛应用于变频家电、轨道牵引、新能源、电动汽车及通信系统，为各行业提供高效与绿色转型的技术支持。
2025财年（2024年4月-2025年3月），公司实现营收55,217亿日元，营业利润3,918亿日元，创历史新高。尽管汇率波动带来一定挑战，2026财年（2025年4月-2026年3月）预计营收为54,000亿日元，营业利润预计提升至4,300亿日元。
在半导体业务方面，2025财年实现营收2,863亿日元，营业利润406亿日元，主要得益于光通信器件需求上升及产品结构优化。2026财年半导体业务营收预计达2,900亿日元，营业利润预计为310亿日元，尽管受到成本影响，公司仍在功率和光器件领域持续投入。
为满足全球市场需求，三菱电机计划于2025年11月启动熊本县8英寸SiC晶圆新工厂的运营，并于2026年10月启用福冈县的模块封装与测试新工厂。
硅与碳化硅技术双轨推进，提升性能与可靠性
在功率芯片领域，三菱电机持续推进硅基IGBT与碳化硅基MOSFET的协同创新。第八代硅基IGBT采用CSTBT技术、分段门结构（Split Gate）及深层缓冲层（CPL），显著降低开关损耗，提高器件可靠性。
碳化硅方面，第四代沟槽栅SiC-MOSFET通过结构优化，使比导通电阻（Ron,sp）较传统平面栅设计降低超过50%。公司计划每两年推出新一代SiC-MOSFET产品，持续推动技术进步。
SiC技术突破双极性退化瓶颈，电压等级持续拓展
第四代SiC-MOSFET通过沟槽底部电场松弛层优化、侧壁P-well结构设计及高浓度JFET掺杂，实现更高的栅极稳定性和更低的导通电阻。
- 中低压场景中，质子注入层技术可提升寄生体二极管的电流承受能力至传统方案的1.67倍。
- 高压应用采用SBD嵌入式结构，不仅实现芯片面积缩减54%，还可彻底避免双极性退化问题。
未来，三菱电机计划于2028年推出第五代SiC-MOSFET，2030年推出第六代，并将电压等级由1.7kV/3.3kV扩展至2.5kV/6.5kV，进一步满足新能源与高压输配电应用需求。
模块化产品线全面升级，助力行业能效跃升
三菱电机推出涵盖家电、新能源、电动汽车及高压输配电等应用的多款新型功率模块，包括Compact DIPIPMTM、SiC SLIMDIP、第八代IGBT LV100模块、J3系列SiC模块以及Unifull系列SBD嵌入式SiC模块。
- Compact DIPIPMTM：适用于变频家电与工业控制，采用第三代RC-IGBT技术，封装尺寸较Mini DIPIPM缩小53%，并新增桥臂短路保护互锁功能，提升系统安全性。
- SiC SLIMDIP：为住宅空调设计，支持全SiC和SiC+Si混合方案，可分别实现79%和47%的功率损耗降低，同时保持与现有硅基封装兼容。
- 第八代IGBT LV100模块：额定参数提升至1200V/1800A，较上一代提高25%输出功率，适用于光伏与风能逆变器。
- J3系列SiC模块：专为电动汽车主驱开发，具备紧凑封装和优化散热设计，支持150–300kW主逆变器需求。同时提供继电器模块与标准化SiC芯片，帮助客户实现灵活设计。
- Unifull系列SBD嵌入式SiC模块：额定电压3.3kV，电流200–800A，芯片面积缩减54%，开关损耗降低58%，适用于HVDC与轨道交通系统。
这些模块化产品以高效、低损耗和高可靠性为核心优势，将推动功率半导体在多个行业实现能效升级。
未来布局聚焦高压化与全球化产能扩张
三菱电机将持续加大在碳化硅及其他宽禁带半导体技术上的投入，进一步拓展功率模块的电压等级和应用场景。
公司计划在2026年推出第五代SiC-MOSFET，并于2028年发布第六代产品。在硅基技术方面，第九代IGBT研发也已启动，重点探索多栅极与双面控制结构。
在制造端，熊本县的8英寸SiC晶圆厂和福冈县的模块封装工厂将分别于2025年11月和2026年10月投入运营，进一步提升产能与制造效率。
凭借在功率半导体领域的深厚积累与前瞻性布局，三菱电机将与全球产业链伙伴合作，推动家电、电动汽车、新能源及高压输电等行业迈向更高效、更绿色的未来发展路径。