2023年5月8日至11日，首届EDA国际研讨会（International Symposium of EDA，ISEDA）在中国南京成功举办。众多国内外知名学者、高校专家、行业精英汇聚一堂，国微芯代表受邀出席了本次EDA国际盛会，共同探讨行业未来，谱写“芯”篇章。
ISEDA是由 EDA 开放创新合作机制（EDA²）和中国电子学会电子设计自动化专委会共同主办，旨在探讨新的挑战，展示前沿技术，为EDA社区提供预测EDA研究领域未来方向的机会，并在EDA研究人员和开发人员之间架起沟通交流桥梁。
本次盛会涵盖了从器件和电路级到系统级、从模拟到数字设计以及制造的所有EDA主题，集聚了众多EDA企业、高校、科研院所和专业机构等，国微芯戴勇博士、杨凡博士、Braelyn Bao、Davi Chao一行受邀出席。其中，Braelyn Bao及Davi Chao在现场发表了技术演讲，分享交流了国微芯在EDA领域最新研究成果。
Braelyn Bao：一种三维掩膜光刻成像快速计算模型
Braelyn Bao 于2022年获得微电子与固体电子学博士学位，主要从事EDA相关工具建模方面的研究。
随着摩尔定律的推进，芯片设计尺寸不断缩小，晶体管结构的最小尺寸正在逐渐接近光刻成像系统的极限，对光刻图形尺寸的要求进一步提高，采用薄掩膜的传统光刻模型面临瓶颈。Braelyn Bao以此为研究重点，发表了Study on 3D Mask Models for Lithography 报告演讲，提出了一种三维掩膜光刻成像快速计算模型，即利用严格电磁学仿真生成的掩膜衍射近场来修正霍普金斯模型结果。
Braelyn Bao表示，严格电磁学仿真需要的计算开销，可以通过一种基于旋转变换和降低仿真维度的快速掩膜边沿近场生成方法来降低。因此，将三维掩膜成像模型和快速衍射近场生成方法相结合，可以快速构建精准的三维掩膜光刻成像模型。
Davi Chao：一种时序约束的自动化等效传播方法
Davi Chao于2020年获得电子工程博士学位，主要从事DFT设计和静态时序分析方面的研究。
在集成电路设计的过程中，对顶层与模块的时序进行准确约束是时序分析及时序收敛的重要保证。为了提高效率，Davi Chao提出了一种时序约束的自动化等效传播方法，该方法包括时序约束的向下传播和时序约束的向上传播，并在现场发表了An automated propagation approach that promotes and demotes the timing exception between hierarchical blocks and flat design 报告演讲。
Davi Chao指出，相较于传统的时序约束的手动转换，自动化传播能有效的避免因设计与时序迭代而带来的时序约束的手动转换工作，减少了设计时序约束的人力成本，从而加速时序收敛的迭代周期，提高时序迭代与时序收敛的效率。
作为国内EDA行业龙头，国微芯深度参与了本次2023ISEDA盛会，从前沿技术探索方面，分享了国微芯近期在EDA产业创新发展实践方面的技术成果，展示了国微芯在EDA多个关键领域所取得的突破，为建设高质量的集成电路EDA创新生态“添砖加瓦”。
未来，国微芯将持续保持创新精神，发挥我司在技术、人才与产业资源方面的优势，全力探索新的技术挑战，为中国EDA生态探寻未来发展的趋势与机会，加速EDA行业关键核心技术难关的攻克，为集成电路行业可持续发展注入创新动能。