Xperi Holding和Tower共同宣布Tower获得Xperi旗下公司Invensas 的ZiBond和DBI 3D半导体互连技术的许可。这项技术补充了Tower的堆叠式晶圆BSI传感器平台，适用于300mm和200mm晶圆上的ToF,工业全局快门和其他CMOS图像传感器。
Tower传感器业务部高级副总裁兼总经理Avi Strum表示：“ 凭借我们快速的产品组合扩展，Xperi在直接和混合键合技术方面的领导地位使我们能够支持客户群在开发下一代应用程序时迅速发展的需求。 ” 。“3D堆栈体系结构和集成是我们提供价值最高，经过验证的模拟半导体解决方案的战略的核心，其中包括用于移动，汽车，工业和高端摄影应用的事件驱动和飞行时间传感器。”
借助最近发布的用于混合键合的完整设计套件，Tower的客户现在可以在两个不同的晶片上设计产品，分别是成像晶片和混合信号CMOS晶片，然后将其与电连接层堆叠在一起，像素间距为10um以上对于dToF和事件驱动的传感器等应用程序，最小为2.5um,甚至更低，对于用于面部识别应用程序的移动ToF等应用程序甚至更低。这种分成两个晶片的方式，使得CMOS侧的高速电路具有较高的灵敏度，这归因于BSI,并且在成像器侧的低暗电流低于60摄氏度每平方微米1电子/秒的低暗电流。Tower的独特平台还允许使用不同的Epi厚度来增强近红外灵敏度。
Xperi的全资子公司Invensas总裁克雷格·米切尔（Craig Mitchell）表示，Tower Semiconductor继续巩固其在全球客户中领先和可信赖的模拟铸造合作伙伴的地位。“ 我们的ZiBond和DBI技术支持各种设备的制造。我们很高兴与Tower Semiconductor合作，将我们的基础3D集成技术部署到一系列新传感器中，特别是飞行时间传感器，我们预计它将在汽车，移动和工业应用中得到越来越多的利用。这种合作关系延续了Xperi强大的发展势头，全球制造商将其定位为满足不断变化的行业需求。”