动态范围:60 dB (标准), 最高 90 dB (扩展) |
光学格式:1" |
RoHS:Y |
RoHS合规:Yes |
产品类型:Image Sensors |
信噪比:41.3 dB |
像素尺寸:5.5 μm × 5.5 μm |
分辨率:4 Megapixels |
功耗:600 mW |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
安装风格:Through Hole |
封装:Tray |
封装 / 箱体:UPGA-95 |
封装类型:μPGA-95 |
工作温度范围:-30°C 至 +70°C |
工作电压:1.8 V / 3.3 V |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:50 |
帧率:180 fps (10 bit), 37 fps (12 bit) |
快门类型:Pipelined global shutter with true CDS |
暗噪声:13 e- (RMS) |
暗电流:125 e- (25°C) |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
满井电荷:13500 e |
类型:Area Scan |
系列:CMV4000 |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 4MP; Mono |
输出接口:16 LVDS outputs @ 480 Mbps |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NanEye Stereo Module RGB Chroma Lens F2.7 FOV 90, 2M Bended Cable Included |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单: 获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 |
动态范围:58 dB |
光学格式:1/15" |
封装形式:BGA |
RoHS合规性:Yes |
产品类型:Image Sensors |
信噪比最大值:41 |
像素尺寸:3 × 3 μm |
分辨率:0.0625MP (250 × 250) |
功耗:4.2 mW (2.1V标称电压) |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU: 2.8 DN, PRNU: 4.8% |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:BGA |
工作温度范围:0°C to 60°C |
工作电源电压:1.8 V to 2.4 V |
工厂包装数量:1 |
帧率:42 - 55 FPS |
快门类型:电子滚动快门 |
暗噪声:1.1 DN rms |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
满井电荷:15 ke- |
灵敏度:11.5 DN/nj/cm² (最大增益) |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
电源电压范围:1.8 V to 2.4 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
色彩类型:单色和RGB |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_2m FT SE |
输出接口:10 bit数字LVDS |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90F6.0_2m FT SE |
封装形式:- |
RoHS:Y |
RoHS认证:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作温度范围:0 C ~ +60 C |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
电源电压范围:1.8 V ~ 2.4 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_2m FT SE |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:4.2 Megapixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装 / 箱体:LCC-92 |
封装/箱体:LCC-92 |
工作电源电压:2.1 V, 3 V, 3.3 V |
最大工作温度:+70 C |
最小工作温度:-30 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:2 V |
类型:Image Sensors |
系列:CMV4000 |
说明:图像传感器 |
动态范围:58 dB |
光学格式:1/15" |
供电电压:1.8V - 2.4V |
封装形式:BGA |
RoHS合规性:是 |
产品类型:Image Sensors |
信噪比最大值:41 |
像素尺寸:3 × 3 μm |
分辨率:250 (H) × 250 (V) |
功耗:4.2 mW(标称供电2.1V) |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU: 2.8 [DN], PRNU: 4.8% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
工作温度范围:0°C - 60°C |
工厂包装数量:1 |
帧率:42 - 55 FPS |
快门类型:电子滚动快门 |
暗噪声:1.1 DN rms |
满井电荷:15 ke- |
灵敏度:11.5 DN/nj/cm²(最大增益) |
系列:NanEye |
色彩类型:单色和RGB |
说明:图像传感器 Chip_NanEyeRS_B&W SQR SE |
输出接口:10 bit数字LVDS |
供电电压:3.3V |
封装形式:LCC or Invar |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
快门类型:Global shutter |
扫描速率:up to 80k scans/s |
插座型号:Andon Electronics 690-90-SM-G10-L14-0 Revl |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩模式:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR2x2k7_LCC_RGB_Ceramic_v1.0 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN], PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装类型:LCC or Invar |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
快门类型:Global shutter |
扫描速率:up to 80k scans/s |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR4K3.5_LCC_B&W_Ceramic_v1.0 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装类型:LCC or Invar |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
快门类型:Global shutter |
扫描速率:up to 80k scans/s |
插座型号:Andon Electronics 690-90-SM-G10-L14-0 Revl |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR2x2k7_LCC_B&W_Ceramic_v1.0 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装类型:LCC 或 Invar |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
快门类型:Global shutter |
扫描速率:up to 80k scans/s |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR2K7_Invar_B&W_BM_v5 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN], PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装类型:LCC 或 Invar |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
快门类型:Global shutter |
扫描速率:up to 80k scans/s |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR4K3.5_Invar_B&W_v5 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 and 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装类型:LCC or Invar |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
帧率:up to 80k scans/s |
快门类型:Global shutter |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比:44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR4K7_INVAR_B&W_v4 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
封装形式:LCC 或 Invar |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
帧率:up to 80k scans/s |
快门类型:Global shutter |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比:44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR2x2K7_Invar_B&W_v5 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
封装形式:LCC or Invar |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
帧率:up to 80k scans/s |
快门类型:Global shutter |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩类型:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR4K7_Invar_B&W_BM_v4 FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
供电电压:3.3V |
封装形式:LCC or Invar |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7x7 和 3.5 × 3.5 |
分辨率:2k up to 16k |
功耗:400 mw per 2K segment |
商标:ams / CMOSIS |
固定模式噪声:DSNU:4 [DN] PRNU:0.7% |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
工作温度范围:0°C-60°C |
工厂包装数量:1 |
帧率:up to 80k scans/s |
快门类型:Global shutter |
暗噪声:22 e- rms |
暗电流:3e-/ms |
最大信噪比(SNR):44 |
满井电荷:46 ke- |
灵敏度:77 DN/nj/cm2 (@12bit) |
系列:Dragster |
色彩格式:Mono and RGB |
说明:图像传感器 DR2x8K7_Invar_RGB_v4_NOVREFC FT SE |
转换增益:0.076 DN/e- |
输出接口:13 bit |
产品类型:图像传感器 |
像素分辨率:2048 x 2 (双线) / 4096 / 8192 |
像素尺寸:7μm x 7μm / 3.5μm x 3.5μm |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装类型:Invar模块 |
工作模式:线扫描 |
工厂包装数量:1 |
接口类型:未明确,需参考连接器信号分配 |
最大工作温度:未明确,需参考工作条件表 |
生命周期状态:新产品 |
电源要求:未明确,需参考电气特性表 |
说明:图像传感器 DR2X8K7_INVAR_RB_v4 FT SE |
颜色滤波器:Bayer Pattern RGB(可选) |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
封装/箱体:- |
工作温度范围:0 C ~ +60 C |
工作电压范围:1.8 V ~ 2.4 V |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_F2.7_FOV90_SGA FT SE |
封装形式:- |
RoHS:Y |
RoHS认证:Y |
产品类型:Image Sensors |
产品系列:NanEye |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作温度范围:0 C ~ 60 C |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
电源电压范围:1.8 V ~ 2.4 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NanEye2D_B&W_FOV90_F4.0 FT SE |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F2.8_LEDRing FT SE |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_LEDRing FT SE |
RoHS:Y |
RoHS认证:Y |
产品类型:Image Sensors |
产品系列:NanEye |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
封装类型:- |
工作温度范围:0 C ~ 60 C |
工作电压范围:1.8 V ~ 2.4 V |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压:2.4 V |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NanEye2D_RGB_F2.8_FOV120_SGA FT SE |
封装形式:- |
RoHS:Y |
产品类型:图像传感器 |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
工作温度范围:0 C ~ +60 C |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
电源电压范围:1.8 V ~ 2.4 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F6.0_LEDRing FT SE |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装 / 箱体:- |
封装/箱体:- |
工作温度范围:0 C 至 60 C |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
电源电压范围:1.8 V 至 2.4 V |
类型:Image Sensors |
系列:NanEye |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F6.0_SGA FT SE |
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