DSNU / PRNU rms:4 DN / 0.7% |
RoHS合规性:是 |
产品状态:量产 |
像素尺寸:7 x 7 μm 或 3.5 x 3.5 μm |
像素深度:13 bit |
分辨率:2 K到24 K |
功耗:400 mW / 2k像素 |
动态范围:68 dB |
响应率标称增益:77 DN/nJ/cm² @12bit |
填充因子:100% |
封装:Invar, Ceramic LCC |
数据输出:Tap Parallel / LVCMOS TTL |
时序噪声暗态rms:1.5 DN |
最大帧率:80 kScan/s |
满井容量:46000 e- |
色彩模式:单色和RGB(双线) |
DSNU / PRNU 均方根:4 DN / 0.7% |
RoHS 合规性:是 |
产品状态:量产 |
像素尺寸:7 x 7 μm 或 3.5 x 3.5 μm |
像素深度:13 bit |
分辨率:2 K 到 24 K |
功耗:400 mW / 2k 像素 |
动态范围:68 dB |
响应率标称增益:77 DN/nJ/cm² @12bit |
填充因子:100% |
封装:Invar, Ceramic LCC |
数据输出:Tap Parallel / LVCMOS TTL |
暗态时间噪声均方根:1.5 DN |
最大帧率:80 kScan/s |
满井容量:46000 e- |
色度:Mono 和 RGB(双线) |
DSNU / PRNU rms:8 DN / 1% |
RoHS合规性:Yes |
产品状态:Pre-Production |
像素尺寸:5.6 x 5.6 μm |
像素深度:12 bit |
分辨率:15K |
功耗:1700 mW / per 2.5k segment |
动态范围:62 dB |
响应率标称增益:61 DN/nJ/cm² @ 12bits |
填充因子:89.00 % |
封装:Invar |
数据输出接口:LVDS |
暗态时间噪声 rms:2.5 DN |
满井容量:30000 e- |
色度:Mono, RGB + clear |
DSNU / PRNU rms:4 DN / 0.7% |
RoHS合规性:是 |
产品状态:量产 |
像素尺寸:7 x 7 μm 或 3.5 x 3.5 μm |
像素深度:13 bit |
分辨率:2 K到24 K |
功耗:400 mW / 2k像素 |
动态范围:68 dB |
响应率标称增益:77 DN/nJ/cm² @12bit |
填充因子:100% |
封装:Invar, Ceramic LCC |
数据输出:Tap Parallel / LVCMOS TTL |
时序噪声暗态rms:1.5 DN |
最大帧率:80 kScan/s |
满井容量:46000 e- |
色彩模式:单色和RGB(双线) |
封装形式:模块 |
供电电压范围:1.8V ~ 2.4V |
像素大小:3µm x 3µm |
像素尺寸:3µm x 3µm |
封装/外壳:模块 |
工作温度:0°C ~ 60°C |
工作温度范围:0°C ~ 60°C |
有源像素阵列:250H x 250V |
每秒帧数:55 |
电压 - 供电:1.8V ~ 2.4V |
像素大小:4.2µm x 4.2µm |
供电电压:3.14V ~ 3.47V |
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 105°C |
有源像素阵列:1280H x 1080V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:3.14V ~ 3.47V |
动态范围:60 dB (标准模式), 最高 90 dB (HDR 模式) |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
供电电压:1.8V,3.3V |
封装形式:95-MicroPGA |
供应商器件封装:95-MicroPGA |
信噪比 (SNR):最大 41.3 dB |
功耗:600 mW |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
暗噪声:13 e- (RMS) |
暗电流:125 e-/s (25°C) |
有源像素阵列:2048H x 1088V |
每秒帧数:340 fps (10 bit), 70 fps (12 bit) |
满井电荷:13500 e |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
类型:CMOS |
输出接口:16 LVDS 输出 @ 480 Mbps |
类型:CMOS |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
有源像素阵列:2048H x 2048V |
每秒帧数:180 |
电压 - 供电:1.8 ~ 3.3V |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
像素大小:3µm x 3µm |
封装形式:模块 |
分辨率:250 x 250 |
封装/外壳:模块 |
帧率:62 fps |
接口:LVDS |
接口类型:LVDS |
每秒帧数:62 |
颜色:RGB |
颜色模式:RGB |
像素大小:3µm x 3µm |
分辨率:250 x 250 |
封装/外壳:模块 |
快门:滚动 |
接口:LVDS |
每秒帧数:55 |
颜色:单色 |
像素大小:7µm x 7µm |
分辨率:1 x 4096 |
封装/外壳:模块 |
接口:串行 |
每秒帧数:80000 |
类型:CMOS |
颜色:单色 |
像素大小:3.5µm x 3.5µm |
分辨率:1 x 4096 |
封装/外壳:模块 |
接口:串行 |
每秒帧数:80000 |
类型:CMOS |
颜色:单色 |
像素大小:3µm x 3µm |
分辨率:250 x 250 |
封装/外壳:模块 |
快门:滚动 |
接口:LVDS |
每秒帧数:55 |
颜色:单色 |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
像素大小:4.6µm x 4.6µm |
供应商器件封装:141-PGA(52.5x40) |
封装/外壳:141-BCPGA |
有源像素阵列:7920H x 6004V |
每秒帧数:30 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:1080H x 960V |
每秒帧数:240 |
类型:CMOS |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
像素大小:5.5µm x 5.5µm |
供电电压:1.8V,3.3V |
封装形式:237-MicroPGA |
供应商器件封装:237-MicroPGA |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:300 |
电压 - 供电:1.8V,3.3V |
类型:CMOS |
动态范围:58dB |
光学格式:1/15" |
像素大小:3µm x 3µm |
供电电压:1.8V-2.4V |
RoHS合规性:是 |
信噪比最大值:41 |
分辨率:250 x 250 |
功耗:4.2 mW(标称供电2.1V) |
固定模式噪声:DSNU:2.8 [DN] PRNU:4.8% |
封装/外壳:模块 |
工作温度范围:0°C-60°C |
快门:滚动 |
快门类型:滚动 |
接口:LVDS |
暗噪声:1.1 DN rms |
每秒帧数:55 |
满井电荷:15 ke- |
灵敏度:11.5 DN/nj/cm2(最大增益) |
色度:Mono和RGB |
输出接口:10 bit数字LVDS |
颜色:RGB |
动态范围:58dB |
像素大小:3µm x 3µm |
供电电压:1.8V - 2.4V |
封装形式:Chip + Lens + Cable |
信噪比最大值:41 |
分辨率:250 x 250 |
功耗:4.2 mW(在2.1V标称电压下) |
固定模式噪声:DSNU:2.8 [DN], PRNU:4.8% |
封装/外壳:模块 |
工作温度范围:0°C - 60°C |
帧率:42 - 55 FPS |
快门:滚动 |
快门类型:电子滚动快门 |
接口:LVDS |
暗电流噪声:1.1 DN rms |
每秒帧数:55 |
输出接口:10 bit数字LVDS |
颜色:RGB |
动态范围:58dB |
光学格式:1/15" |
像素大小:3µm x 3µm |
供电电压:1.8V-2.4V |
封装形式:Chip + Lens + Cable |
信噪比最大值:41 |
分辨率:250 x 250 |
固定模式噪声:DSNU:2.8 [DN] PRNU:4.8% |
封装/外壳:模块 |
工作温度范围:0°C-60°C |
快门:滚动 |
接口:LVDS |
暗电流噪声:1.1 DN rms |
每秒帧数:55 |
满井电荷:15 ke- |
灵敏度:11.5 DN/nj/cm2(最大增益) |
输出接口:10 bit数字LVDS |
颜色:RGB |
像素大小:3µm x 3µm |
分辨率:250 x 250 |
封装/外壳:模块 |
快门:滚动 |
接口:LVDS |
每秒帧数:55 |
颜色:单色 |
DSNU / PRNU rms:4 DN / 0.7% |
RoHS合规性:是 |
产品状态:量产 |
像素尺寸:7 x 7 μm 或 3.5 x 3.5 μm |
像素深度:13 bit |
分辨率:2 K到24 K |
功耗:400 mW / 2k像素 |
动态范围:68 dB |
响应率标称增益:77 DN/nJ/cm² @12bit |
填充因子:100% |
封装:Invar, Ceramic LCC |
数据输出:Tap Parallel / LVCMOS TTL |
时序噪声暗 RMS:1.5 DN |
最大帧率:80 kScan/s |
满井容量:46000 e- |
色彩模式:单色和RGB(双线) |
动态范围:60dB |
光学格式:1" |
RoHS:Y |
RoHS合规性:Yes |
产品类型:Image Sensors |
信噪比最大值:41.3 dB |
像素尺寸:5.5 × 5.5 |
分辨率:4 Megapixels |
功耗:600 mW |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装 / 箱体:LCC-92 |
封装类型:Ceramic 95 pins uPGA/LGA or 92- |
工作电源电压:1.8 V, 3.3 V |
帧率:180 fps (10 bit), 37 fps (12 bit) |
快门类型:Global shutter |
暗电流:125 e-/s (25 degC) |
最大工作温度:+70 C |
最小工作温度:-30 C |
灵敏度:5.56 V/lux.s |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 |
输出接口:16 LVDS outputs @ 480 Mbps |
动态范围:支持多种高动态范围模式 |
光学格式:1/3" |
封装形式:Tray |
RoHS:Y |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:7.4 μm × 7.4 μm |
分辨率:300 kilopixels |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:BGA-58 |
封装 / 箱体:BGA-58 |
工作模式:支持行窗口模式、行下采样模式 |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:100 |
快门类型:全局快门 |
控制接口:SPI |
最大工作温度:+70 C |
最大帧率(10-bit CMOS):120 fps |
最大帧率(12-bit LVDS):480 fps |
最小工作温度:-30 C |
类型:Area Scan |
系列:CMV300 |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 0.3MP; Mono |
输出接口:4 × 12-bit LVDS (480 Mbps) / 1 × 10-bit CMOS |
RoHS:Y |
类型:Area Scan |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 4MP; Color |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-95 |
封装:Tray |
系列:CMV4000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:40 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:4 Megapixels |
动态范围:60 dB |
光学格式:1" |
供电电压:3 V |
封装形式:UPGA-95 |
RoHS:Y |
RoHS合规:是 |
产品类型:Image Sensors |
像素尺寸:5.5 μm × 5.5 μm |
分辨率:4 Megapixels |
功耗:600 mW |
商标:ams / CMOSIS |
子类别:Sensors |
安装风格:Through Hole |
封装:Tray |
封装 / 箱体:UPGA-95 |
工作温度范围:-30 C ~ +70 C |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:50 |
帧率:180 fps (10 bit), 37 fps (12 bit) |
暗噪声:13 e- (RMS) |
暗电流:125 e- (25°C) |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
类型:Area Scan |
系列:CMV4000 |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 4MP; Mono-NIR |
输出接口:16 LVDS 输出 @ 480 Mbps |
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