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Dowaytech 多维科技
江苏多维科技有限公司(MultiDimension Technology Co., LTD. ,英文简称“MDT”,以下简称“多维科技”)创立于2010年,公司总部座落于江苏省苏州市张家港保税区,是一家专注于磁传感器(TMR/GMR/AMR)的制造商,在浙江宁波、深圳、四川成都、美国圣何塞、日本大阪分别设有分公司,销售网络遍布全球。多维科技拥有500余项专利,200多款磁传感器产品和先进的8英寸磁传感器量产晶圆产线,成熟的磁传感器晶圆制造工艺,可批量生产、供应高性能磁传感器芯片和模组产品,以满足客户多元化的应用需求。多维科技除了为客户提供成品磁传感器芯片外,还可以晶圆、裸片或封装器件的形式为客户提供磁传感器(TMR/GMR/AMR),同时还可以为客户提供定制化的磁传感器设计、晶圆制造和测试服务。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术领域和工程技术服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,多维科技致力于为广大客户提供高品质的磁传感器芯片和模组产品。主要产品磁传感器 • 芯片产品TMR磁开关传感器芯片、TMR角度传感器芯片、TMR线性磁场传感器芯片、TMR齿轮传感器芯片、TMR磁栅传感器芯片、AMR磁开关传感器芯片、AMR角度传感器芯片、AMR磁栅传感器芯片、AMR线性磁场传感器芯片磁传感器 • 模组产品TMR电流传感器、TMR齿轮编码器、AGV磁导航传感器、TMR低噪声线性磁传感器、USB磁强计、TMR磁特征/磁图像传感器应用领域工业控制、消费电子、汽车电子、智能家居、清洁能源、民用表计、金融机具、物联网、生物与医疗
  • Dowaytech 多维科技 TMR1208T 电子罗盘

    工作温度范围:-40°C ~ 125°C(TA)
    供应商器件封装:TO-92S
    供电电压范围:1.8V ~ 5.5V
    供电电流(最大值):1.5µA(标准)
    功能:锁存器,双极开关
    外壳封装:TO-226-3,TO-92-3 长体
    安装类型:通孔
    封装:TO-92S
    封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
    工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
    感应范围:0.5mT 跳闸,-0.5mT 释放
    技术:磁阻
    技术类型:磁阻
    极化:北极,南极
    测试条件:25°C
    特性:温度补偿
    电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
    电流 - 供电(最大值):1.5µA(标准)
    电流 - 输出(最大值):9mA
    输出电流(最大值):9mA
    输出类型:推挽式
  • Dowaytech 多维科技 AMR2501 电子罗盘

    工作温度范围:-55~150 ℃
    供电电压:1~12 V
    交付周期:In Stock
    产品型号:AMR2501
    储存温度范围:-55~175 ℃
    兼容型号:
    分辨率:21 μGs (带宽=10Hz)
    封装形式:DFN5X6 -16L
    带宽:5 MHz
    敏度(mV/V/Oe):2.1
    敏感方向:X轴
    本底噪声:0.15 nT/√Hz @1Hz
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.15
    灵敏度:2.1 mV/V/Oe
    灵敏度温度系数:-3000 ppm/℃
    电桥偏置温度系数:-0.001 mV/V/℃
    电桥电阻:0.77 kΩ
    电阻温度系数:2500 ppm/℃
    电阻(kΩ):0.77
    磁滞:0.02 Oe
    磁滞(Oe):0.02
    磁阻结构:/
    饱和场(Oe):±4
    饱和磁场:±4 Oe
  • Dowaytech 多维科技 AMR2302 电子罗盘

    工作温度范围:-55~150 ℃
    供电电压:1~12 V
    交付周期:In Stock
    产品型号:AMR2302
    储存温度范围:-55~175 ℃
    兼容型号:
    分辨率:56 μGs
    可重复性误差:0.08 %FS
    封装形式:SOP16
    带宽:5 MHz
    敏度(mV/V/Oe):0.7
    敏感方向:X/Y轴
    本底噪声:0.4 nT/√Hz @1Hz
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.4
    灵敏度:0.7 mV/V/Oe
    焊接温度:260 ℃
    电压噪声密度:27 nV/√Hz
    电桥偏置:-10~+10 mV/V
    电阻:0.75 kΩ
    电阻(kΩ):0.75
    磁场噪声密度:400 pT/√Hz
    磁滞:0.05 Oe
    磁滞后误差:0.05 %FS
    磁滞(Oe):0.05
    磁阻结构:/
    线性误差:0.05~1.6 %FS
    饱和场:±10 Oe
    饱和场(Oe):±10

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