Dowaytech AMR2302 AMR线性磁场传感器芯片
多维科技AMR线性双轴磁传感器 AMR2302
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2025-12-16 21:00:02
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AMR2302
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Dowaytech
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Dowaytech 多维科技
产品概述
AMR2302 采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件，独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2302 性能优越，采用标准的封装形式 SOP16。
产品特性
- 各项异性磁阻 (AMR) 技术
- 宽工作电压范围
- 本底噪声 300 pT/√Hz@1 Hz
- 较低的饱和场
- 优越的温度稳定性
- 低磁滞
- 符合 RoHS & REACH
典型应用
- 微弱磁场检测
- 电流传感器
- 位置传感器
- 磁强计
AMR2302 AMR线性磁场传感器芯片选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 供电电压 | 1～12 V | |
| 环 境 | ||
| 工作温度范围 | -55～150 ℃ | |
| 更多规格 | ||
| 交付周期 | In Stock | |
| 产品型号 | AMR2302 | |
| 供电电压 | 1～12 V | |
| 储存温度范围 | -55～175 ℃ | |
| 兼容型号 | ― | |
| 分辨率 | 56 μGs | |
| 可重复性误差 | 0.08 %FS | |
| 封装形式 | SOP16 | |
| 带宽 | 5 MHz | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.7 | |
| 敏感方向 | X/Y轴 | |
| 本底噪声 | 0.4 nT/√Hz @1Hz | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.4 | |
| 灵敏度 | 0.7 mV/V/Oe | |
| 焊接温度 | 260 ℃ | |
| 电压噪声密度 | 27 nV/√Hz | |
| 电桥偏置 | -10～+10 mV/V | |
| 电阻 | 0.75 kΩ | |
| 电阻（kΩ） | 0.75 | |
| 磁场噪声密度 | 400 pT/√Hz | |
| 磁滞 | 0.05 Oe | |
| 磁滞后误差 | 0.05 %FS | |
| 磁滞（Oe） | 0.05 | |
| 磁阻结构 | / | |
| 线性误差 | 0.05～1.6 %FS | |
| 饱和场 | ±10 Oe | |
| 饱和场（Oe） | ±10 |
产品替代
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AMR2302 AMR线性磁场传感器芯片资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| MDT-Linear-Sensors-AMR2302-Datasheet-CN-V2.1 | 887.61 KB | 下载 |
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