产品概述
AMR2501 采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件，独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501 性能优越，采用极小封装形式 DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)。
产品特性
- 各项异性磁阻 (AMR) 技术
- 宽工作电压范围
- 本底噪声 100 pT/√Hz@1 Hz
- 较低的饱和场
- 低磁滞
- 优越的温度稳定性
- 符合 RoHS & REACH
典型应用
- 微弱磁场检测
- 电流传感器
- 位置传感器
- 磁强计
AMR2501 电子罗盘选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 性 能 | ||
| 敏度 | 2.1 | |
| 分辨率 | 21 μGs (带宽=10Hz) | |
| 特 性 | ||
| 测量技术 | / | |
| 带宽 | 5 MHz | |
| 饱和场 | ±4 Oe | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 电阻 | 0.77 | |
| 电 气 | ||
| 供电电压 | 1～12 V | |
| 更多技术信息 | ||
| 交付周期 | In Stock | |
| 更多规格 | ||
| Bridge Offset Temperature Coefficient | 2500 ppm/℃ | |
| Bridge Resistance | 0.77 kΩ | |
| Compatible Models | AMR2501 | |
| Magnetic Hysteresis | 0.02 | |
| Noise Floor | 0.15 nT/√Hz @1Hz | |
| Operating Temperature Range | -55～150 ℃ | |
| Package/Enclosure Type | DFN5X6 -16L | |
| Sensitivity Temperature Coefficient | -3000 ppm/℃ | |
| Storage Temperature Range | -55～175 ℃ |
产品替代
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资料下载
AMR2501 电子罗盘资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| MDT-Linear-Sensors-AMR2501-Datasheet-CN-V2.1 | 869.47 KB | 下载 |
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