九峰山实验室在国内率先实现8英寸平台ALD金属钼工艺突破
九峰山实验室近日通过化合物半导体中试平台与工艺平台的高效协作，联合国内原子层沉积（ALD）设备制造商，成功突破了8英寸ALD金属钼（Mo）制备工艺。这一成果基于MoCl₂O₂作为前驱体材料，在400℃条件下成功沉积出高性能金属钼薄膜，是国内首次在8英寸晶圆平台上实现该技术的开发。
此次工艺的创新不仅体现在自研工艺方案的稳定性与效率上，更在于其依托国产ALD设备进行的定制化开发。研发团队充分结合国产设备的反应腔体结构、气体传输系统等关键特性，对工艺参数进行了精准优化，从而有效提升了制程的可控性与一致性。
该金属钼沉积工艺的实现，标志着国内在8英寸晶圆上首次具备了满足量产要求的ALD Mo工艺能力。在3D NAND闪存制造中，该技术可实现高台阶覆盖率，完美适配垂直沟道结构，有助于提升存储密度与数据读写效率。
在7纳米以下逻辑芯片领域，低电阻率的金属钼层有助于减小RC延迟，从而显著提升芯片运算速度并降低功耗。此外，对于DRAM器件制造，该薄膜表现出优异的均匀性和致密性，有助于增强器件的长期稳定性与使用寿命。