三安集成亮相EDICON 2026，HP56新工艺推动高频通信技术落地
第十一届电子设计创新大会（EDICON 2026）近日在北京举行。作为微波与射频技术领域的重要活动，本届大会吸引了来自产业链上下游的技术专家，围绕下一代通信技术的演进方向展开深入交流。三安光电旗下子公司三安集成受邀参会，并发布《三安射频技术在下一代应用中的布局》技术报告，展示了其在砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）及射频滤波器领域的最新研发成果。
当前，随着3GPP R18至R20标准逐步成熟，R21版本也即将发布，5G-A及6G网络能力成为行业关注的焦点。射频前端器件在新标准下面临更高的性能要求，特别是在R19与R20版本中，功率等级（Power Class）的提升成为关键挑战。与此同时，非地面网络（NTN）等新兴应用场景对输出功率与隔离度提出了更严格的技术指标。
随着载波聚合（CA）和4G/5G协同双连接（EN-DC）的普及，射频链路需在更紧凑的物理空间内支持更高带宽和更大输出功率，由此带来了更高的热密度问题。在提高功率附加效率（PAE）的同时，如何有效应对高功率下的热耦合和可靠性问题，成为射频工程师面临的核心挑战。
三安集成在报告中重点介绍了其新一代砷化镓工艺HP56的技术特性。相较于上一代HP12工艺，HP56在3.5GHz频段表现出更优的线性度、更高的功率增益与最大PAE。增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，为甚高频和大带宽调制信号的放大提供了更强支撑，同时有效降低了功放系统的整体功耗。
报告同时指出，随着功率密度的增加，芯片在运行过程中更容易出现热失控（Thermal Runaway）现象。对此，三安集成通过仿真测试与实验数据，提出了多项工艺优化方案。通过调整结构设计与金属间距，可有效控制结温上升，从而缓解热耦合带来的可靠性问题，为客户提供可操作性强的解决方案。
为满足未来商业航天及非地面通信等高频场景的多样化需求，三安集成展示了其在氮化镓工艺和滤波器技术方面的布局：
氮化镓（GaN）技术方面，新一代工艺着重优化了功率密度与电流崩塌效应，通过外延层与工艺流程的升级，实现效率与可靠性的双重提升，以更好地满足民用基站和商用航天领域对高能效设备的需求。
在滤波器产品线，三安集成推出的1109 NTN SAW滤波器系列已覆盖n256频段及BDS接收频段，专门应对卫星通信中因频段密集带来的信号干扰问题。该系列产品具备约1dB的低带内插损，为实现天地一体化通信提供了关键技术支持。
三安集成表示，未来将持续加大射频工艺研发力度，围绕客户实际需求，提供高稳定性、高性能的射频制造解决方案，助力下一代无线通信技术的创新发展。
稿源：美通社