上海建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试线
近日，位于上海松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司宣布，其全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试线已建成并投入运行。该产线标志着我国在功率半导体制造领域迈出了关键一步。
35微米的晶圆厚度突破，使功率芯片在导通电阻和热阻方面显著下降，从而大幅提升了器件整体的能效与散热能力。这项技术进步为新能源汽车、5G通信基站等高功率密度应用场景提供了坚实的技术支撑，同时助力国产功率器件进入高压平台和快充等高端市场。
该产线的稳定运行得益于企业在多个关键工艺环节的技术积累与设备研发。从键合、研磨到切割与测试，各环节均配备了高精度专用设备。键合机在晶圆与玻璃载片之间实现临时键合，对位误差控制在120微米以内，日处理能力约为400片晶圆。
研磨工艺精度达到0.1微米，晶圆片内厚度偏差小于2微米，确保了厚度一致性。激光切割机则采用11微米的切缝宽度，相比传统刀片切割方式，芯片有效面积利用率提升约10%。解键合工艺通过激光实现玻璃载片与晶圆的精准分离，并配套去胶流程，不仅降低了破片率，还减少了化学品的使用。
在测试环节，产线具备较高的产能，单日可输出12万颗成品。值得一提的是，关键设备由企业技术团队与国内设备制造商协同开发，通过联合攻关实现了核心装备的自主化，填补了国内在这一领域的技术空白。