英飞凌发布CoolGaN™ Drive HB 600 V G5集成半桥解决方案，提升氮化镓器件应用便利性
全球领先的功率系统和物联网半导体供应商英飞凌科技近日推出了CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列。这款新产品延续了英飞凌在GaN技术领域的创新优势，进一步丰富了其GaN器件组合。
该系列产品包括四款型号：IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M与IGI60L5050B1M，均采用半桥拓扑结构，内置两个600V GaN开关，并集成高低侧栅极驱动器与自举二极管。这一设计在简化系统布局的同时，显著提升了功率密度与热管理效率。
英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5系列通过集成半桥结构，增强了氮化镓器件在系统中的可用性。
英飞凌GaN业务负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在重塑电力电子领域。我们致力于提供可扩展、易于集成的解决方案，让客户能够更轻松地利用这一前沿技术。此次推出的CoolGaN™ Drive HB系列结合了高速GaN开关、高度集成的设计以及卓越的可靠性，有助于加速产品开发流程、减小系统体积，并提升整体运行效率，推动紧凑型电力电子设备迈向更高性能。”
该集成半桥解决方案专为低功耗电机驱动和开关电源系统设计，适用于对空间有严格限制的应用场景。其设计支持更小巧的磁性元件和无源器件，同时实现更高的整体效率与动态响应能力。产品具备98纳秒的传播延迟和极低的信号失配，可支持高频高速开关操作，同时确保稳定的时序表现。
为提升系统兼容性，该器件提供标准逻辑电平的PWM输入，并仅需单一12V栅极驱动电源。此外，快速的UVLO恢复功能有助于在电源瞬态事件中保持系统稳定运行。
在热设计方面，CoolGaN™ Drive HB 600 V G5采用6×8 mm² TFLGA-27封装，具备裸露焊盘，有助于高效散热并适用于无需散热片的紧凑型设计。
通过结合成熟的CoolGaN™器件技术、系统级集成能力以及深厚的功率转换经验，该系列产品进一步强化了英飞凌在GaN市场的技术领导地位，为工业电子和消费电子领域的高效设计提供了更多选择，助力客户实现技术升级与产品规模化应用。