台积电授权氮化镓制程技术予世界先进
据世界先进集成电路股份有限公司（World Advanced）官网消息，该公司于1月28日正式宣布，已与台积电达成协议，获得其高压（650V）及低压（80V）氮化镓（Gallium Nitride, GaN）制程技术的授权。此次合作旨在加速世界先进在下一代GaN功率器件上的研发进程，并推动其在多个高功率转换应用领域的发展。
凭借此次授权，世界先进的技术能力将得到显著增强。公司将把现有的硅基氮化镓（GaN-on-Si）制程拓展至高压应用，构建完整的GaN-on-Si解决方案。同时，该公司还将整合其现有的准石英基氮化镓（GaN-on-QST）平台，成为全球首家同时掌握硅基与新基底两种氮化镓制程的代工企业，覆盖从低压（<200V）、高压（650V）到超高压（1200V）的完整产品线。
这一布局将进一步巩固世界先进在高效电能转换领域的技术优势。公司表示，新平台将与现有制造流程无缝对接，并在成熟的8英寸晶圆产线中进行验证，以确保良率与制程稳定。相关研发工作预计于2026年初启动，首批产品计划于2028年上半年实现量产。