台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓（GaN）制程技术
此次技术授权使世界先进得以将其硅基氮化镓（GaN-on-Si）制程拓展至高压应用领域，从而构建出完整的GaN-on-Si平台。结合其原本拥有的GaN-on-QST制程平台，世界先进已成为全球首家可同时提供基于两种不同衬底的高低压氮化镓制程服务的晶圆代工厂。
通过此次合作，世界先进将建立与现有生产线无缝衔接的氮化镓工艺平台，并计划在公司成熟的8英寸晶圆制造线上完成制程验证工作，以确保工艺的稳定性和量产良率。相关开发工作预计将于2026年初启动，并预计在2028年第一季实现量产。