露笑科技在8英寸导电型碳化硅衬底研发方面实现关键进展
合肥露笑半导体材料有限公司近期在8英寸导电型碳化硅衬底的研发与产业化方面取得重要突破。据官方消息，该公司已成功掌握相关核心工艺，并实现高质量晶体制备。
通过深入研究晶体生长过程中各项参数间的耦合关系，露笑科技成功培育出结晶质量高、晶型稳定的8英寸碳化硅单晶。关键性能指标如微管密度、表面粗糙度、位错密度及电阻率分布均匀性均达到或超越当前行业主流标准。特别是微管密度的显著降低，使得衬底表面质量大幅提升，为高性能、高可靠性碳化硅功率器件的制造提供了坚实保障。
目前，露笑科技合肥基地的一期项目已正式投产。公司正在加快推进二期扩建工程，重点建设8英寸碳化硅衬底和外延片的产线，目标是迅速提升产能，以应对新能源汽车、光伏系统、储能设备以及工业控制等领域对高性能8英寸碳化硅材料的持续增长需求。
未来，露笑科技计划进一步加强研发投入，不断优化现有的碳化硅衬底制备工艺，同时将目光投向更大尺寸衬底的研发，提前布局下一代宽禁带半导体技术。