安森美热门技术与重点产品十问十答
年终之际，回顾一年来，安森美（onsemi）收到了众多工程师的技术咨询。从新品选型、替代器件查找，到散热优化与设计工具获取，工程师们的问题都一一记录在案。如今，我们精选出十项最受关注的技术问答，涵盖SiC、IGBT、图像传感器等核心产品，聚焦选型、可靠性、散热、栅极驱动等设计中的高频问题，提供清晰、实用的解决方案，助力年末项目顺利推进。
一、2025年安森美的重点新品有哪些？其核心优势和应用场景是什么？
2025年，安森美围绕汽车、工业以及AI数据中心等领域，推出了多款关键新品，每一款产品都针对行业痛点进行深度优化。
Hyperlux ID 系列是安森美首款基于间接飞行时间（iToF）原理的实时传感器，能够对高速运动物体进行高精度远距离测量和三维成像。该系列采用全新的全局快门像素架构并内建存储单元，可实时采集完整场景信息和深度数据，有效突破了传统iToF的限制。其最大深度感知距离可达30米，是标准iToF传感器的四倍，同时体积更小。该传感器还支持同时输出黑白图像和深度数据，无需额外配置视觉与深度传感器。
EliteSiC SPM 31 系列是首款基于1200V碳化硅（SiC）MOSFET的智能功率模块（IPM），电流范围覆盖40A至70A，与现有的15A至35A IGBT SPM 31系列形成完整互补，构建出业界最全面的集成功率模块产品组合。该模块相比上一代场截止（FS7）IGBT技术，在相同封装下实现了更高的能效与功率密度，支持更快的开关速度，并显著提升了热性能。适用于AI数据中心EC风机、热泵系统、商用HVAC、伺服电机及工业泵阀等三相变频驱动场景。与传统IGBT模块相比，在70%负载时，EliteSiC SPM 31 IPM可将每台EC风机的年能耗与成本降低52%。
为AI数据中心和电气化应用树立能效新标杆，安森美推出基于氮化镓（vGaN）工艺的垂直氮化镓功率器件。该技术采用单芯片设计，适用于1200V以上的高压应用，具备高频开关和大电流能力，能效显著提升。在构建高端电源系统时，该技术可将能量损耗降低近50%，同时由于高频工作的特点，电容与电感等被动元件的尺寸可减少约一半。相比横向GaN器件，其体积仅为三分之一，特别适用于AI数据中心、电动汽车、充电基础设施、可再生能源、储能系统及工业自动化等对功率密度和可靠性要求严苛的应用。
此外，安森美还推出了采用T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等高功率高电压应用提供增强散热性能、设计灵活性与可靠性。该封装通过直接热耦合，优化了散热与开关性能，显著降低了结片至散热器的热阻，并支持多种Rds(on)选项，从而提升设计适配性。
二、遇到EOL（停产）产品，如何快速找到替代型号？
查找EOL产品替代型号的关键在于理解安森美的器件命名规则。不同类产品有着不同的编码逻辑，掌握关键字符含义有助于快速匹配功能、封装和参数相似的替代方案。以下为IGBT与模拟集成电路两类典型器件的命名规则示例。
以IGBT型号“NGTB25N120IHWT4G”为例，“GT”代表IGBT产品组，“B”表示带共封装二极管，“25”为100℃下25A的电流规格，“N”为N沟道，“120”为1200V电压等级，“IH”表示适用于电感加热优化，“W”代表TO-247封装。若此型号停产，可优先匹配“产品组+系列+电流/电压等级+封装”。
模拟集成电路型号“NCP1234AD30RG”中，“N”为标准产品，“CP”为模拟IC电源管理产品组，“1234”为产品编号，“A”为增强型温度/输出类型，“D”表示SOIC封装。
更多关于安森美器件编码规则的详细内容，可查阅官网提供的相关白皮书，涵盖EliteSiC、IGBT、MOSFET及图像传感器等多类产品。
三、如何快速获取安森美器件的数据手册、原理图、评估板、PCB布局指南等资料？
安森美为工程师提供“一站式设计工具库”。访问官网（www.onsemi.cn），在顶部导航栏点击“产品”即可浏览分类产品并进行筛选。通过右侧搜索栏输入器件型号，可快速跳转至产品详情页，下载相关文档与设计工具。评估板信息同样可在相关页面获取。
数据手册可在“设计”→“技术文档”→“数据手册”中搜索下载，而通用PCB布局指南则可在“设计”→“技术文档”→“应用笔记”中查找。
四、IGBT的可靠性是什么？如何查询安森美的IGBT可靠性数据？
作为电力电子系统的核心组件，IGBT的可靠性直接影响系统运行的安全性。IGBT需经过多项加速老化测试，以验证其在实际应用中的可靠性。测试项目包括：HTRB（高温反向偏置）、HTGB（高温栅极偏置）、HTSL（高温储存寿命）、H3TRB（高湿高温反向偏置）、UHAST（无偏高加速压力测试）、IOL（间歇性工作寿命）、TC（温度循环）、LTSL（低温储存寿命）及SSOL（稳态工作寿命）等。
关于IGBT的可靠性测试方法与审核流程，可参考相关技术文章。安森美官网提供了各类IGBT产品的可靠性数据，用户可直接访问具体型号页面查询相关信息。
五、功率器件的散热设计需考虑哪些要点？
功率器件的散热设计应从建立完整的热阻网络模型入手，包括封装内部热阻、导热界面材料热阻以及散热器与环境之间的热阻。此外，选型与PCB布局也需协同优化，使用铜箔和散热过孔分散热流，以减少局部热积聚。
对于SiC器件，尽管其具备出色的高温性能，但仍需关注系统整体耐温能力与高频开关带来的瞬态热效应。推荐结合热仿真工具进行设计验证，并通过红外热成像或热电偶测量确认设计效果。
六、如何为SiC MOSFET选型合适的隔离栅极驱动器？
栅极驱动器选型需与被驱动器件精准匹配，重点在于电压特性与隔离能力。SiC MOSFET通常需要15V-20V正驱动电压与-2V至-5V的负偏置电压，以降低关断损耗并防止寄生导通。
在800V以上高压应用（如车载OBC、太阳能逆变器）中，需确保驱动器的隔离电压、工作电压及瞬态隔离能力满足系统需求。安森美相关型号支持最高1200V直流电压，并可通过控制隔离电容降低漏电流。
此外，应综合考虑驱动能力、动态响应及保护功能。选择具备UVLO、使能功能的驱动器可提升系统安全性，同时适配多种大功率场景，如电动汽车、充电站与云计算服务器。
七、SiC MOSFET的短路耐受时间代表什么？
SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）是指在短路条件下，器件仍可保持稳定工作而不损坏的持续时间，是衡量其鲁棒性的关键指标之一。
安森美1200V M1 SiC MOSFET具备一定设计裕量，短路耐受时间受VDS和工作温度等参数影响。第三代M3 SiC技术进一步提升短路耐受能力，M3E产品短路耐受时间约为1.5μs，适用于主驱逆变器等关键应用。
八、如何查询并使用安森美的设计工具？
安森美官网提供了丰富的产品设计工具与软件，旨在助力工程师完成从选型到分析的完整流程。
Product Recommendation Tools+（PRT+）是一款基于算法推荐的产品搜索工具，支持按参数筛选并提供相似产品推荐，帮助工程师快速找到合适器件。
WebDesigner+是一款在线电源设计辅助工具，根据输入输出参数推荐电源管理器件。该工具支持-40V至1000V输入电压、-65V至100V输出电压、10μA至40A输出电流，适用于多种工作温度范围，并可生成详细的BOM清单与设计报告。
Elite Power仿真工具与PLECS模型生成器可用于电力电子系统的仿真与选型，适用于EliteSiC及FS7 IGBT产品，节省开发时间并降低测试成本。
DevWareX是一款专为图像传感器开发打造的软件平台，支持编程、图像处理与调试，提供SDK及配套的Python脚本功能，适用于安森美图像传感器、SoC及ISP产品。
九、为什么需要关注IGBT的结温？如何通过实验测量与计算？
IGBT的结温是芯片内部PN结的实际温度，直接影响器件寿命与可靠性。若结温超过额定值（通常为150℃或175℃），可能导致器件性能下降甚至损坏。因此，准确计算结温对功率系统（如变频器、逆变器）的长期稳定性至关重要。
结温计算分为两步：一是通过示波器测量开关与导通损耗，获取平均功率；二是结合热阻模型，利用稳态热阻与脉冲热阻计算结温。参考相关技术文章，可获得详细的计算方法和设计指导。
十、图像传感器选型应关注哪些关键因素？
图像传感器选型需优先考虑成像性能指标，如分辨率、像素尺寸、快门类型、帧率和动态范围。不同应用场景对这些指标的要求各不相同，例如安防设备需高动态范围与低照度性能，而工业设备则需全局快门以避免运动模糊。
此外，功能集成度与系统支持同样关键，如低功耗设计、运动检测与智能区域识别等功能，可直接降低功耗与系统计算负担。开发资源与生态兼容性也不容忽视，包括是否符合ISO 26262、IEC 61508等安全标准，以及是否兼容FPGA、SOC及镜头厂商。安森美的Hyperlux系列覆盖多种应用场景，并提供完整的开发工具与技术支持，帮助用户快速完成系统集成。
若您还有其他技术问题，欢迎在评论区留言。我们将持续收集反馈，并推出更多实用内容，与您共同迎接年末挑战！