Kioxia推出创新技术，为高密度低功耗3D DRAM铺平道路
全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation宣布，已成功开发出具备高堆叠能力的氧化物半导体沟道晶体管技术。该技术有望加速高密度、低功耗3D DRAM的商业化进程。这项突破性成果在12月10日于美国旧金山召开的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上正式发布，预计将在AI服务器、物联网终端等多个领域显著降低能耗。
随着人工智能技术的快速发展，市场对具备更大容量和更低功耗能力的DRAM需求日益增长。然而，传统DRAM技术在进一步缩小存储单元尺寸方面已接近物理极限，促使行业转向3D堆叠技术以突破容量瓶颈。以往的DRAM设计通常采用单晶硅作为堆叠晶体管的沟道材料，这种方式不仅提高了制造成本，同时也会随着存储容量的增加而带来更高的刷新功耗。
在去年的IEDM会议上，Kioxia首次介绍了基于氧化物半导体材料的垂直晶体管DRAM（OCTRAM）技术。今年，该公司进一步展示了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术，并通过实验验证了8层晶体管堆叠结构的可行性。
这项技术通过堆叠成熟的氧化硅和氮化硅薄膜层，将部分氮化硅区域替换为氧化物半导体（InGaZnO），从而构建出垂直分层结构。同时，Kioxia还提出了一种全新的3D存储单元结构，可有效缩小垂直间距。这种制造工艺与结构设计有望突破3D堆叠DRAM在成本上的限制。
此外，氧化物半导体材料具有极低的关态电流特性，使该技术在降低存储单元刷新功耗方面表现突出。经验证，采用该工艺制造的横向晶体管在导通电流方面超过30微安，关态电流则低于1阿托安（10-18安），展现出优异的性能。Kioxia还成功搭建了8层横向晶体管堆叠结构，并确认其中所有晶体管均能正常运行。
未来，Kioxia将继续深化该技术的研究，推动3D DRAM向实际应用场景迈进。
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关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，专注于闪存和固态硬盘（SSD）的研发、制造与销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从Toshiba Corporation分拆成立，而Toshiba Corporation正是NAND闪存的发明者，可追溯至1987年。
Kioxia致力于通过存储技术创造客户价值，提供产品、服务与系统解决方案，助力社会进步。其创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正推动存储技术在高密度应用中的发展，广泛适用于高端智能手机、个人电脑、汽车系统、数据中心及生成式AI系统。
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