Kioxia发布创新技术，推动高密度、低功耗3D DRAM走向实际应用
全球存储解决方案领域的领导者Kioxia Corporation近日宣布，成功开发出具备高堆叠能力的氧化物半导体沟道晶体管技术。该技术被视为实现高密度、低功耗3D DRAM的重要突破，并已在12月10日于美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上正式展示。这项创新技术有望大幅降低AI服务器、物联网设备等多个应用场景中的能耗。
随着人工智能技术的快速发展，市场对具备更大容量、更低功耗和更强数据处理能力的DRAM需求持续增长。传统DRAM在单元尺寸微缩方面已接近物理极限，因此行业正积极探索3D堆叠技术，以突破容量瓶颈。以往DRAM多采用单晶硅作为堆叠结构中晶体管的沟道材料，但这种方式不仅增加了制造成本，还使得存储单元的刷新功耗随容量提升而上升。
去年的IEDM会议上，Kioxia曾发布基于氧化物半导体沟道晶体管的DRAM（OCTRAM）技术，采用垂直结构的氧化物半导体材料晶体管。今年，公司进一步展示了能够实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术，并成功完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。
该技术通过将成熟的氧化硅与氮化硅薄膜进行堆叠，并将部分氮化硅区域替换为氧化物半导体材料（如InGaZnO），构建出具有垂直分层结构的横向堆叠晶体管。同时，Kioxia还开发出一种新型3D存储单元结构，实现了垂直间距的微缩，为解决3D堆叠的高制造成本问题提供了可行性方案。
得益于氧化物半导体材料本身的低关态电流特性，该技术在降低存储单元刷新功耗方面表现突出。经过验证的横向晶体管在导通电流方面超过30微安，而关态电流则低于1阿托安（即10^-18安），展现出极低的能耗水平。此外，Kioxia成功构建了8层横向晶体管堆叠结构，并确认了该结构中所有晶体管的稳定运行。
接下来，Kioxia将继续推进该技术的研发进程，推动3D DRAM在实际应用场景中的落地。
关于Kioxia
Kioxia Corporation是全球领先的存储解决方案提供商，专注于NAND闪存及固态硬盘（SSD）的研发、生产与销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从东芝公司独立。自1987年东芝公司发明NAND闪存以来，Kioxia始终致力于通过创新产品、服务与系统，为客户创造价值，推动存储技术在社会各领域的广泛应用。
Kioxia独有的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在重新定义高密度存储在多个前沿领域的应用前景，包括高性能智能手机、个人电脑、汽车电子系统、数据中心以及生成式AI等。
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