时间来到2025年最后一个月，在AI应用持续爆发与供应链紧张的双重影响下，闪存与内存领域正同步经历一轮强劲的价格上涨周期。
自11月以来，NAND闪存市场在AI服务器、高端笔电及智能终端需求拉动下，合约价显著上涨。与此同时，QLC与TLC技术的进一步普及，正持续推动存储容量向更高水平迈进。
DRAM市场同样涨势不减，其中DDR4/DDR5产品价格攀升尤为显著。HBM3e已成为相关企业盈利的重要支撑。然而，供应紧缺态势持续向产业链下游传递，不仅推高了笔记本电脑制造成本，也对消费电子产品的出货节奏带来压力。
面对这一轮市场变动，我们该如何应对？欢迎查看最新存储动态。
新闻
动态
2025.12
行业厂商动态
KIOXIA推出EXCERIA BASIC M.2 2280 PCIe Gen4x4 SSD系列
该系列通过提供PCIe 4.0级别的性能，以极具吸引力的价格加强了铠侠消费级固态硬盘阵容。其最高可达7.3 GB/s的传输速度和2TB的容量，为从SATA或旧款PCIe 3.0驱动器升级的用户提供了极具吸引力的升级路径。凭借速度、性价比与可靠性的完美结合，该产品已成为主流固态硬盘市场的有力竞争者。
SANDISK公布2026财年第一季度强劲财务业绩
公司多个业务板块，包括超大规模数据中心合作及BiCS8 NAND快速普及，均实现了强劲的收入增长，超出市场预期。鉴于第二季度收入前景乐观及财务状况的强化，闪迪正以稳健的运营基础和明确的增长动力开启2026财年。
SK海力士凭借其SSD解决方案获得OCP S.A.F.E.顶级评价
此评估得益于Keysight Technologies在安全测试方面的专业知识，突显了SK海力士在安全存储解决方案方面的开创性行业合作伙伴关系。这一认可使SK海力士成为全球存储生态系统中值得信赖的供应商，解决了由云采用和人工智能工作负载驱动的日益增长的供应链风险和网络安全挑战。
Anaflash与SUMSUNG代工合作，为下一代智能边缘设备开发嵌入式闪存
Samsung Foundry正与Anaflash合作，为下一代智能边缘设备推进嵌入式闪存技术。此次合作凸显了三星在为初创公司提供创新半导体解决方案方面的战略作用，特别是通过其28纳米工艺技术。
随着人工智能内存竞赛的加速，MICRON计划在日本投资96亿美元建造HBM晶圆厂
在NVIDIA、AMD和其他主要芯片制造商的人工智能加速器的推动下，对HBM的需求迅速增长。该工厂2028年的生产时间表与下一波人工智能GPU相一致，为美光公司扩大其HBM市场份额和确保长期供应伙伴关系提供了明确的跑道。
2024 – 2025年全球SSD出货量
■ 全球SSD出货量：全球SSD需求从第二季度的相对较低水平有所复苏，预计到2026年将维持在高于当前阶段的水平。
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2024 – 2025年闪存供需和价格走势
■ 价格走势：受AI基础设施扩张和服务器升级的推动，企业和云服务提供商（CSP）的需求激增，预计第四季度NAND Flash整体价格将持续上涨。
■ 满足率：自2024年以来维持低位。供应商已加强减产力度，将制造资源集中于AI相关需求。
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2024 – 2025年全球内存产量
■ 全球DRAM产量：DRAM产能集中于服务器内存条（DIMM）和移动应用。行业分析师预计，先进制程DRAM（HBM）的整体需求在2026年前将持续上升。
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2024 – 2025年DDR4内存供需和价格走势
■ 价格走势：由于持续减产，DDR4价格仍维持高位。CSP和企业服务器的强劲需求收紧了DDR5的供应，同时制造商优先生产DDR5和HBM，又推动价格在第四季度上涨。
■ DRAM满足率：从2025年第四季度至2026年上半年，随着制造商逐步淘汰DDR4生产并将产能从云服务提供商（CSPs）重新分配给高需求应用，DRAM供应面临巨大压力。这一转变导致DRAM整体供应明显趋紧。
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