国产芯片技术突破2nm节点 无需依赖EUV光刻
12月6日，业界关注到国内在先进制程领域取得重要进展。目前，全球5nm以下工艺普遍依赖极紫外光刻（EUV），而深紫外光刻（DUV）在7nm工艺节点上已接近技术极限。然而，国内研究显示，未来仍有可能在无EUV条件下推进制程至2nm。
面对先进工艺的发展需求，国内近年来一直在探索如何突破DUV光刻的性能极限。这种努力不仅出于外部环境的挑战，更源于对半导体基础技术的持续深耕。
集邦科技近期披露，华为早在2021年就提交了一项关键专利，涉及一种名为SAQP（自对准四重图案化）的技术方案。该技术可在不依赖EUV设备的前提下，实现2nm级芯片制造。
根据专利描述，利用DUV光刻机配合SAQP工艺，可将芯片栅极间距压缩至21nm以下，达到当前2nm节点的工艺标准。这表明国内在替代性光刻工艺路径上已具备较高成熟度。
值得注意的是，部分媒体报道将SAQP误译为“四重光刻”，这一表述容易引发误解。实际上，四重图案化与四次光刻存在本质区别，前者是通过材料与工艺整合实现的高精度结构，而后者在技术与成本层面均难以实现。
在2nm节点之外，华为及其他研究机构仍在拓展更前沿的架构。例如，围绕GAA（Gate-All-Around）结构的环绕栅极晶体管，以及CFET（Complementary FET）等互补场效应晶体管技术，被认为是迈向1nm甚至0.1nm节点的关键路径。
虽然目前提及的多为专利技术，尚不具备大规模量产条件，但这些研究展示了国内在先进制程上的技术储备和创新潜力。这表明，国内在不依赖外部高端光刻设备的情况下，仍有望探索出一条具备自主知识产权的发展道路。
从长远看，这种发展路径不仅有助于降低芯片制造对特定设备的依赖，同时在成本与产能方面也可能带来新的竞争优势。当国际厂商依赖高成本EUV或下一代High-NA EUV设备制造芯片时，国内利用DUV+SAQP路线实现的2nm产品，或将引发新的行业格局变化。