三星推出革命性NAND闪存技术 功耗降低达96%
11月27日，三星电子宣布，其研发团队在存储技术领域取得突破性进展，成功开发出一种全新的NAND闪存结构，能够将整体功耗降低超过90%。这一进展被认为将在人工智能数据中心、移动终端及其他依赖高性能存储芯片的应用中产生深远影响。
据ETNews报道，三星先进技术研究院（SAIT）主导了这项技术的研发。新型NAND闪存结合了铁电材料与氧化物半导体的特性，其研究成果已发表于国际权威科学期刊《自然》（Nature）。
NAND闪存是一种非易失性存储介质，即使在断电情况下也能长期保存数据，其工作原理依赖于电子在存储单元中的注入与转移。为了提高存储密度，行业通常采用多层堆叠结构，但这种方式也带来了显著的能效挑战。特别是在大规模数据中心中，存储设备的高能耗已成为亟需优化的瓶颈。
三星研究团队针对这一难题提出创新方案。氧化物半导体长期以来因阈值电压不稳定而难以应用，但研究团队巧妙地将该材料与铁电结构相结合。铁电材料具有自维持电极化的能力，无需持续供电即可保持其极化状态，从而有效降低了设备在数据读写过程中所需的能量。
基于这一设计理念，新结构的功耗相较传统方案降低了高达96%。三星强调，该技术完全由公司内部团队研发完成，项目由三星电子SAIT和半导体研究所的34名研究人员共同推进。
“我们已经证明，超低功耗NAND闪存是可行的。”三星电子SAIT研究团队成员、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“随着AI生态系统的快速发展，存储器的重要性日益凸显。我们正继续推进后续研究，以加速这一技术的商业化进程。”
与此同时，三星正在积极优化存储业务的盈利能力。随着DDR5、LPDDR5X以及GDDR7等高端DRAM产品的需求上升和价格回暖，公司计划进一步调整产品结构，聚焦高附加值产品供应，以提升整体业务的盈利水平。