国产50nm NOR闪存量产:最大256Mb容量、耐105°C高温

来源:西贝网
日前,武汉新芯科技XMC公司研发的50nm工艺、浮栅极NOR闪存正式量产出货,容量16Mb到256Mb,工作温度范围可达-40℃到105℃。

  在国产NAND闪存取得突破的同时,国内的NOR闪存也在不断前进。日前,武汉新芯科技XMC公司研发的50nm工艺、浮栅极NOR闪存正式量产出货,容量16Mb到256Mb,工作温度范围可达-40℃到105℃。


  NOR闪存不同于NAND闪存,性能及容量全都落后于后者,但是可靠性高,目前主要用于各种嵌入式领域,比如车载电子、物联网等等,而武汉新芯是国内主要的NOR闪存供应商之一。

  全球NOR闪存主流工艺还停留在90-65nm工艺,新芯科技这次量产的50nm工艺NOR已经很先进了,这次推出的主要是Floating Gate浮栅极工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC闪存,支持低功耗宽电压工作,可为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

  XM25QWxxC系列闪存在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),工作温度范围可达-40℃到105℃。

  在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢,其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。

  在连续读取模式下能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址,从而实现真正的XIP(execute in place)操作。

  据官网介绍,武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年,为全球客户提供专业的12英寸晶圆代工服务,专注于NOR Flash和CMOS图像传感器芯片的研发和制造。

  目前,武汉新芯在上海、苏州、深圳、日本等地均设有办事处,为中国和世界各地的客户提供业务和技术服务。

  武汉新芯是中国乃至世界领先的NOR Flash供应商之一,产品覆盖全球工商业市场。武汉新芯生产的CMOS图像传感器芯片集高性能、低功耗的优点于一体,广泛应用于智能手机市场。

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