上升时间:14000 μs |
产品种类:光电二极管 |
供电电压范围:1.45 V 至 5.5 V |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
单位重量:44 mg |
品牌:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:1500 |
最大ESD耐受电压(CDM):400 V |
最大ESD耐受电压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56 V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
照度范围:0.01 Ix 至 10000 Ix |
资格认证:AEC-Q101 |
输出阻抗:10 MΩ |
ESD耐压(CDM):400V |
ESD耐压(HBM):2kV |
上升时间:14000μs |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大):50 V |
响应时间:5ns |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
封装类型:径向 |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电流温度系数(典型):-0.07% / K |
暗电流(典型):1nA |
最大电源电流:15mA |
有效面积:1mm² |
正向电压(典型):0.52V |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
电源电压范围:1.45V ~ 5.5V |
视角:20° |
输出暗电流(典型):3.4nA |
输出暗电流(最大):50nA |
输出电流(典型):135μA |
输出阻抗(典型):10MΩ |
频谱范围:750nm ~ 1100nm |
ESD 耐受电压(HBM):2 kV |
上升时间:0.06 μs |
下降时间:0.06 μs |
产品种类:PIN 光电二极管 |
供电电压范围:1.45 V 至 5.5 V |
光谱响应范围:450 nm 至 705 nm |
光谱灵敏度:典型 1000 nA/lx |
半强度角度:55° |
单位重量:3.800 mg |
反向电压:16 V |
安装风格:SMD/SMT |
封装:SMD-2 |
峰值波长:580 nm |
工作温度范围:-40°C 至 +100°C |
暗电流:5 nA |
最大供电电流:15 mA |
温度系数:-0.07% / K |
认证:AEC-Q101, AEC-Q102 |
输出暗电流:最大 50 nA,典型 3.4 nA |
输出电流(典型):135 μA |
输出阻抗:典型 10 MΩ |
上升时间:10 ns |
下降时间:10 ns |
光电流:20 uA |
功率耗散:150 mW |
半强度角度:17 deg |
单位重量:200 mg |
反向电压:20 V |
响应率:0.6 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:50 pA |
最小工作温度:-40 C |
正向电压:1.3 V |
正向电流:100 mA |
资格认证:AEC-Q101 |
长度:4 mm |
高度:5.2 mm |
ESD抗扰度 (HBM):2 kV |
上升时间:14000 μs |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型输出电流 (100 lx):135 μA |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
封装类型:径向 |
峰值波长:880nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电压范围:1.45V ~ 5.5V |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
方向:顶视图 |
暗电流 (Id):50 nA |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大功率:165 mW |
最大暗输出电流:50 nA |
最大集电极电流 (Ic):50 mA |
波长:880nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:50° |
输出阻抗:10 MΩ |
集射极击穿电压 (Vceo):70 V |
ESD 耐受电压(HBM):2 kV |
上升时间(典型值):14000 μs |
供电电压范围:1.45V ~ 5.5V |
供电电流(典型值):135 μA |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx |
功率 - 最大值:165 mW |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电流温度系数(典型值):-0.07% / K |
方向:顶视图 |
最大灵敏度波长:600 nm |
波长:860nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:24° |
输出暗电流(典型值):3.4 nA |
输出暗电流(最大值):50 nA |
输出阻抗(典型值):10 MΩ |
ESD抗静电能力:2 kV (HBM) |
上升时间:8 μs |
下降时间:8 μs |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
半强度角度:60° |
单位重量:35 mg |
封装类型:SMD/SMT, PLLC-2 |
尺寸 (L x W x H):3.2 mm x 2.8 mm x 1.9 mm |
峰值波长:980 nm |
工作温度范围:-40°C 至 +100°C |
工作电流范围:0.01 μA 至 10000 μA |
暗电流:1 nA |
最大工作电压:6 V |
输出电流典型值:135 μA |
输出阻抗:10 MΩ |
集电极—发射极最大电压:35 V |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:8 us |
下降时间:8 us |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:35 mg |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:980 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
弱电流:80 uA |
暗电流:50 nA |
最大工作温度:+100 C |
最小工作温度:-40 C |
波长:980 nm |
湿度敏感性:Yes |
长度:3.4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:150 mV |
高度:2.1 mm |
ESD耐压(HBM):2 kV |
上升时间:14000 μs |
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm |
典型光谱灵敏度:1000 nA/lx |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
封装类型:通孔 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):50 nA |
最大供电电压:5.5V |
最大供电电流:15 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
最大集射极击穿电压:35 V |
最大集电极电流:15 mA |
最小供电电压:1.45V |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:60° |
输出阻抗:10 MΩ |
ESD抗扰度(CDM):400 V |
ESD抗扰度(HBM):2 kV |
产品种类:光电晶体管 |
供电电压范围:1.45V 至 5.5V |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
半角:60° |
单位重量:76 mg |
响应时间:14000 μs |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
最大供电电压:6V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗:10 MΩ |
零件号别名:Q65110A2485 SFH 325 FA-4 Q65110A2485 |
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm |
典型输出电流(100 lx,白光LED):135 μA |
功率 - 最大值:200 mW |
响应时间(典型值):14000 μs |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 - 2 引线 |
封装类型:径向 - 2 引线 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):50 nA |
最大 ESD 耐压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流输出:50 nA |
波长:880nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:50° |
输出阻抗(典型值):10 MΩ |
集射极击穿电压(最大值):35 V |
集电极电流(最大值):50 mA |
光谱灵敏度典型值:1000 nA/lx |
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
峰值响应波长:900 nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电压范围:1.45 V ~ 5.5 V |
方向:顶视图 |
暗电流最大值:50 nA |
最大ESD耐受电压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大功率:165 mW |
最大暗电流:200 nA |
最大照度范围:0.01 Ix ~ 10000 Ix |
最大集电极电流:15 mA |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:24° |
输出阻抗:10 MΩ |
集射极击穿电压:35 V |
供应商器件封装:6-DFN(2.4x2) |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
供电电流(工作状态):235μA ~ 330μA |
供电电流(睡眠状态):1.0μA ~ 10μA |
供电电流(等待状态):60μA |
动态范围:1000000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装形式:6-WDFN |
工作温度:-40°C ~ 70°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:465nm,525nm,615nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:8-SMD |
供电电压范围:2.2V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.2V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:20-LGA(4.5x4.7) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:20-BFLGA |
工作温度:0°C ~ 85°C |
接近探测:无 |
类型:环境 |
输出类型:I²C,SPI |
产品种类:环境光传感器 |
商标:ams OSRAM |
工厂包装数量:2500 |
零件号别名:Q65112A5460 |
FIFO容量:1KB |
I2C电压:1.8V |
产品型号:TCS37209 |
传感器类型:Color and Proximity Sensor |
供电电压:1.8V |
功能特性:环境光检测、颜色检测、接近检测、交叉干扰消除、环境光减法 |
动态范围:自适应最大化 |
封装形式:Reel |
尺寸:3.34 mm × 1.36 mm × 0.6 mm |
工作模式:中断驱动 |
工作电源电压:1.8 V |
接口类型:I²C |
时钟频率:737kHz |
检测通道:Red, Green, Blue, Clear |
滤波特性:UV/IR blocking filter |
睡眠模式:可配置 |
饱和标志:数字和模拟ALS饱和标志、接近饱和标志 |
上升时间:4.6 μs |
下降时间:3 μs |
半强度角度:65 deg |
反向电压:16 V |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:250 pA |
最大工作温度:+85 °C |
最小工作温度:-40 °C |
湿度敏感性:Yes |
ESD 耐受电压(HBM):2 kV |
上升时间:典型 14000 μs |
二极管类型:引脚 |
供电电压范围:1.45V ~ 5.5V |
供电电流范围:0.01 μA ~ 10000 μA |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:典型 1000 nA/lx |
响应时间:40ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
最大灵敏度波长:600 nm |
有效面积:8.12mm² |
波长:950nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):16 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
视角:120° |
输出暗电流:最大 50 nA,典型 3.4 nA |
输出电流(典型值):135 μA |
输出阻抗:典型 10 MΩ |
频谱范围:300nm ~ 1100nm |
产品种类:光电晶体管 |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
单位重量:300 mg |
响应时间:14000 μs |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:Cut Tape |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
最大ESD耐压(CDM):400 V |
最大ESD耐压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56 V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗:10 MΩ |
ESD抗扰度(HBM):2 kV |
产品种类:光电晶体管 |
供电电压范围:1.45V 至 5.5V |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
半角:60° |
响应时间:14000 μs |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
最大供电电压:6V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗:10 MΩ |
零件号别名:Q65110A2488 SFH 325-3 Q65110A2488 |
ESD耐压(HBM):2 kV |
上升时间:14000 μs |
光谱灵敏度:适配人眼灵敏度(Vλ) |
光谱灵敏度典型值:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型正向电压:0.52V |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
寿命:新产品: 此制造商的新产品。 |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
暗电流抑制:集成暗电流抑制 |
最大供电电压:6V |
最大供电电流:15 mA |
最大工作温度:-40°C 至 100°C |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56V |
最大正向电流:0.5 mA |
热补偿:内置热补偿 |
线性响应范围:6个照度数量级 |
输出电流:与环境光强度成比例 |
输出阻抗:10 MΩ |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-BGA |
分辨率:16位 |
动态范围:1000000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WFBGA,CSPBGA |
封装尺寸:1.25mm x 1.75mm |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
最大供电电压:3.8V |
最大供电电流(工作模式):0.6mA |
最大供电电流(待机模式):15uA |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
自动抑制频率:50/60Hz |
输出类型:I²C |
通信接口:I²C (400kHz), SMBus (100kHz) |
产品种类:环境光传感器 |
动态范围:宽动态范围 |
安装风格:SMD/SMT |
封装:OLGA-8 |
封装形式:MouseReel |
尺寸:2.41mm x 1.75mm x 1.00mm |
峰值波长:434 nm, 537 nm, 574 nm |
工作电流(Active ALS状态):100~150 μA |
工作电流(Idle状态):30~60 μA |
工作电流(Sleep状态):0.7~5.0 μA |
工作电源电压:1.8 V |
最大工作温度:+85 ℃ |
最小工作温度:-30 ℃ |
湿度敏感性:Yes |
滤波器类型:CIE 1931 Tristimulus XYZ滤波器 |
灵敏度:高灵敏度 |
通信接口:I²C |
供应商器件封装:8-SMD |
供电电压范围:2.2V ~ 3.6V |
动态范围:16000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
封装形式:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
工作电流(活动状态):195μA ~ 250μA |
工作电流(睡眠状态):2.2μA ~ 4μA |
工作电流(等待状态):90μA |
接口速率:最高400kbit/s |
接近探测:是 |
接近探测功能:是 |
最大等待时间:>8秒 |
最小等待时间:2.7ms |
模块尺寸:3.94mm x 2.36mm x 1.35mm |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.2V ~ 3.6V |
类型:环境 |
视场角选项:25°, 50° |
输出类型:I²C |
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