供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电流:2mA ~ 3mA |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
响应度:790 Hz/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作温度:-25°C ~ 70°C |
待机电流:5μA ~ 12μA |
接近探测:无 |
暗频率:0.4Hz ~ 10Hz |
波长:640nm |
温度系数:±200 ppm/°C |
灵敏度调节:1×, 10×, 100× |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出使能:低电平有效 |
输出类型:频率 |
输出频率缩放:1, 2, 10, 100 |
输出频率范围:0.8kHz ~ 120kHz |
零件状态:停产 |
非线性误差:0.2% |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
包装:卷带(TR),剪切带(CT) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
封装形式:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大输出电压:3.3V |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
辐照响应度:137mV/(uW/cm²) @λp = 635nm(TSL250R) |
输出噪声电压:0.8μV/Hz(TSL250R) |
输出电压温度系数:0.08%/℃ |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:260μs(TSL250R) |
零件状态:停產 |
低功耗模式:支持 |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
动态范围:12位 |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
包装形式:卷带(TR)、剪切带(CT)、Digi-Reel® |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
封装类型:8-SOIC |
工作模式:标准模式/扩展模式 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
工作温度范围:-40°C ~ 85°C |
工作频率:10kHz ~ 100kHz |
接口类型:SMBus 两线串行接口 |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
电源电流:0.35mA ~ 0.6mA |
类型:环境 |
转换时间(扩展模式):80ms |
转换时间(标准模式):400ms |
输入电容:10pF |
输出类型:SMBus |
零件状态:停产 |
中断功能:支持(SMB-Alert / Level Style) |
供应商器件封装:6-DFN(2x2) |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装类型:6-DFN(2x2) |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作电流(主动模式):0.24mA ~ 0.6mA |
工作电流(关断模式):3.2μA ~ 15μA |
接口类型:SMBus / I²C |
接近探测:无 |
最大时钟频率(I²C):400kHz |
最大时钟频率(SMBus):100kHz |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:SMBus |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
动态范围:1,000,000:1 |
存储温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD,无引线 |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作电流(待机模式):3.2μA ~ 15μA |
工作电流(活动模式):0.24mA ~ 0.6mA |
接口类型:I²C / SMBus |
接近探测:无 |
数字输出分辨率:16位 |
最大ADC计数值:65535 |
最大供电电压:3.8V |
最大时钟频率:400kHz |
最大转换时间:400ms |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压:2.38V ~ 3V |
供电电流(工作模式):0.6 mW(典型值) |
供电电流(待机模式):3.2 μA ~ 15 μA |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD,无引线 |
封装类型:6-SMD,无引线 |
工作模式:表面贴装型 |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
波长响应:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:SMBus |
通信接口:SMBus / I²C |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压范围:2.38V ~ 3V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
存储温度范围:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD,无引线 |
封装选项:TSL2563CL |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作电流(典型):0.6 mW |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
通信接口:I²C / SMBus |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-BGA |
供电电压范围:2.38V ~ 3V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
存储温度范围:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WFBGA,CSPBGA |
封装类型:6-BGA |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作电流(典型):0.6 mW |
接口类型:I²C / SMBus |
接近探测:无 |
最大转换频率:400 kHz |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-DFN(2x2) |
供电电压:2.38V ~ 3V |
供电电流(关断模式):3.2μA ~ 15μA |
供电电流(工作模式):0.24mA ~ 0.6mA |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装类型:6-DFN(2x2) |
峰值波长:640nm |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接口类型:I²C / SMBus |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
中断功能:支持 |
低功耗:0.6mW(典型) |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压:2.38V ~ 3V |
供电电流(关断模式):3.2μA ~ 15μA |
供电电流(工作模式):0.24mA ~ 0.6mA |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD,无引线 |
封装类型:6-SMD,无引线 |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接口类型:I²C / SMBus |
接近探测:无 |
最大工作频率:400kHz |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:6-DFN(2x2) |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装形式:6-WDFN |
尺寸:2 mm × 2 mm |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作频率:750 kHz |
接口类型:I²C |
接近探测:无 |
最大转换时间:688 ms |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
静态电流(关断模式):3 μA |
供应商器件封装:4-ChipLED |
供电电压:2.3V ~ 3.3V |
动态范围:3 lux 到 220,000 lux |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
尺寸:2 mm × 2 mm |
工作温度:-15°C ~ 70°C |
工作温度范围:-15°C ~ 70°C |
工作电流(典型值):110 μA |
待机电流(典型值):2.2 μA |
接口电压:1.8 V 或 VDD |
接近探测:无 |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
集成时间选项:100 ms, 200 ms, 400 ms |
I²C地址:0111 000X |
I²C通信速率:100kHz/400kHz/3.4MHz |
供应商器件封装:SMD |
供电电压:2.3V ~ 3.1V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD,无引线 |
封装类型:SMD |
工作模式:Standby, Triggered, Free-running |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
待机电流:典型值2μA |
接近探测:是 |
检测范围(接近):最大150mm |
波长:555nm |
环境光检测范围:0.03lx ~ 65000lx |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.1V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:模块 |
供电电压:2.4V ~ 3.6V |
动态范围(接近探测):98000:1 |
动态范围(环境光):16.7M:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
封装类型:8-SMD 模块 |
尺寸:2.36 mm × 3.95 mm × 1.36 mm |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
工作电流(典型):220 μA(环境光模式) |
接近探测:是 |
接近探测功能:是 |
电压 - 供电:2.4V ~ 3.6V |
睡眠模式电流:1.0 μA ~ 10 μA |
类型:环境,手势 |
输出接口类型:I²C |
输出类型:I²C |
供电电压范围:2.3V ~ 3.6V |
典型ALS工作电流:90μA |
典型PS工作电流:60μA |
典型待机电流:0.8μA |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD,扁平引线 |
封装尺寸:4mm × 2.1mm × 1.35mm |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
检测范围(接近):100mm |
波长:560nm |
环境光检测范围:0.0022 - 73000 lx |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:20-LGA(4.5x4.7) |
供电电压:2.97V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:20-BLGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:无 |
电压 - 供电:2.97V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:SPI |
供应商器件封装:20-LGA(4.5x4.7) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:20-BFLGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:无 |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C,SPI |
RoHS合规:是 |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电压敏感度:±0.5 %/V |
光强响应率:2.3 kHz/(μW/cm²) |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
响应波长峰值:524nm |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
封装类型:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作波长范围:320nm ~ 1050nm |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
工作温度范围:-40°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗频率:< 2 Hz(25°C) |
温度系数:±200 ppm/°C |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出使能功能:支持多设备共享输入线 |
输出类型:频率 |
输出频率范围:0 Hz ~ 1000 kHz |
铅(Pb)含量:无铅 |
零件状态:停產 |
非线性误差:±1% F.S. |
供应商器件封装:SMT CHIPLED |
供电电压范围:2.3V ~ 3V |
典型电流消耗(ACTIVE模式):145 ~ 200 μA |
典型电流消耗(STAND-BY模式):2.5 μA |
分辨率:1 count/lx |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
封装形式:4-SMD,无引线 |
工作温度:-15°C ~ 70°C |
工作温度范围:-15°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
支持I²C速率:100kbit/s;400kbit/s;1.0 Mbit/s;3.4 Mbit/s |
波长:500nm |
波长峰值:500nm |
测量范围:3 - 65,000 lx |
温度系数:<0.2 %/K(0~50°C) |
电压 - 供电:2.3V ~ 3V |
类型:环境 |
输出接口类型:I²C |
输出更新时间(首次测量):1 ~ 1.5 ms |
输出稳定时间(32次平均):186 ~ 250 ms |
输出类型:I²C |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度(635nm):137mV/(uW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大供电电压:6V |
最大存储温度:85°C |
最大工作温度:85°C |
最大输出电流:±10mA |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(100Hz):0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(TSL250R):260μs |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(IDD)典型值:1.1mA |
响应灵敏度(Re)典型值:137mV/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(VD)最大值:10mV |
最大输出电压(VoM):3.3V |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(10kHz):5μV/√Hz |
输出噪声电压(1kHz):1μV/√Hz |
输出电压温度系数(αvo):2mV/°C |
输出电压(Vo)典型值:2V |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(tr):7μs |
输出脉冲下降时间(tf):7μs |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电流(典型):1.1 mA |
响应率(典型):111 mV/(μW/cm²) @ 940nm |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(最大):10mV |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出噪声电压(典型):0.8 μV/√Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(典型):260 μs |
输出脉冲下降时间(典型):260 μs |
传感器类型:环境 |
供应商器件封装:模块 |
供应商封装:模块 |
供电电压:2.6V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
封装形式:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
接近探测功能:是 |
检测波长:625nm |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出接口类型:I²C |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:模块 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:SMD |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
典型供电电流:1.1mA ~ 1.7mA |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装形式:3-SMD,侧视图 |
峰值响应波长:640nm |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压范围:0V ~ 0.08V |
最大输出电压:4.9V |
波长:640nm |
波长范围:320nm ~ 1050nm |
照度响应度:16mV/(μW/cm²) ~ 248mV/(μW/cm²) |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:2.6μs ~ 20μs |
输出脉冲下降时间:2.8μs ~ 10μs |
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