RoHS合规:是 |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电压敏感度:±0.5 %/V |
光强响应率:2.3 kHz/(μW/cm²) |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
响应波长峰值:524nm |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
封装类型:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作波长范围:320nm ~ 1050nm |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
工作温度范围:-40°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗频率:< 2 Hz(25°C) |
温度系数:±200 ppm/°C |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出使能功能:支持多设备共享输入线 |
输出类型:频率 |
输出频率范围:0 Hz ~ 1000 kHz |
铅(Pb)含量:无铅 |
零件状态:停產 |
非线性误差:±1% F.S. |
供应商器件封装:SMT CHIPLED |
供电电压范围:2.3V ~ 3V |
典型电流消耗(ACTIVE模式):145 ~ 200 μA |
典型电流消耗(STAND-BY模式):2.5 μA |
分辨率:1 count/lx |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
封装形式:4-SMD,无引线 |
工作温度:-15°C ~ 70°C |
工作温度范围:-15°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
支持I²C速率:100kbit/s;400kbit/s;1.0 Mbit/s;3.4 Mbit/s |
波长:500nm |
波长峰值:500nm |
测量范围:3 - 65,000 lx |
温度系数:<0.2 %/K(0~50°C) |
电压 - 供电:2.3V ~ 3V |
类型:环境 |
输出接口类型:I²C |
输出更新时间(首次测量):1 ~ 1.5 ms |
输出稳定时间(32次平均):186 ~ 250 ms |
输出类型:I²C |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
供应商器件封装:10-SMD |
供电电压:2.3V ~ 3.1V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:10-SMD,扁平引线 |
封装形式:10-SMD,扁平引线 |
尺寸:2.8 × 2.8 × 0.9 mm³ |
工作模式:STAND-BY, TRIGGERED, FREE-RUNNING |
待机电流消耗:< 5μA |
接近传感器峰值波长:850nm |
接近传感器波长范围:750nm ~ 1000nm |
接近探测:是 |
最大电流消耗(FREE-RUNNING):300μA |
检测范围:0 ~ 100mm |
波长:555nm |
环境光传感器峰值波长:555nm |
环境光测量范围:3lx ~ 65000lx |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.1V |
类型:环境 |
输出接口:I²C |
输出类型:I²C |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度(635nm):137mV/(uW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大供电电压:6V |
最大存储温度:85°C |
最大工作温度:85°C |
最大输出电流:±10mA |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(100Hz):0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(TSL250R):260μs |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(IDD)典型值:1.1mA |
响应灵敏度(Re)典型值:137mV/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(VD)最大值:10mV |
最大输出电压(VoM):3.3V |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(10kHz):5μV/√Hz |
输出噪声电压(1kHz):1μV/√Hz |
输出电压温度系数(αvo):2mV/°C |
输出电压(Vo)典型值:2V |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(tr):7μs |
输出脉冲下降时间(tf):7μs |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电流(典型):1.1 mA |
响应率(典型):111 mV/(μW/cm²) @ 940nm |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(最大):10mV |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出噪声电压(典型):0.8 μV/√Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(典型):260 μs |
输出脉冲下降时间(典型):260 μs |
传感器类型:环境 |
供应商器件封装:模块 |
供应商封装:模块 |
供电电压:2.6V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
封装形式:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
接近探测功能:是 |
检测波长:625nm |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出接口类型:I²C |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:模块 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:SMD |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
典型供电电流:1.1mA ~ 1.7mA |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装形式:3-SMD,侧视图 |
峰值响应波长:640nm |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压范围:0V ~ 0.08V |
最大输出电压:4.9V |
波长:640nm |
波长范围:320nm ~ 1050nm |
照度响应度:16mV/(μW/cm²) ~ 248mV/(μW/cm²) |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:2.6μs ~ 20μs |
输出脉冲下降时间:2.8μs ~ 10μs |
供应商器件封装:SMD |
供电电压灵敏度:±0.5%/V |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(典型值):2.5mA |
响应波长范围:320nm ~ 1050nm |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装类型:3-SMD,侧视图 |
峰值响应波长:635nm |
工作温度:-25°C ~ 70°C |
工作温度范围:-25°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗频率(典型值):0.4Hz |
波长:635nm |
温度系数:±150ppm/°C |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:频率 |
非线性误差(典型值):±0.2% |
频率响应范围:0.4Hz ~ 500kHz |
供应商器件封装:SMD |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流:2 ~ 3 mA @ 5V |
动态范围:5M:1 |
响应率:2.3kHz/(μW/cm²) @ λp=524nm |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装类型:3-SMD,侧视图 |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
工作温度范围:-40°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗频率:< 2 Hz @ 50°C |
波长:640nm |
温度系数:±200 ppm/°C |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:频率 |
供应商器件封装:SMD |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度:137mV/(uW/cm²) @ 635nm |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装形式:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压:0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:260μs |
供应商器件封装:SMD |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
响应灵敏度典型值:137mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(10kHz):3μV/√Hz |
输出噪声电压(1kHz):1μV/√Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:7μs |
输出脉冲下降时间:7μs |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电流(典型):1.1 mA |
包装:卷带(TR),Digi-Reel® |
响应率(典型):111 mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:8-SOIC(0.173inch,4.40mm 宽) |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(最大):10mV |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出电压范围:0.05V ~ 2.9V |
输出类型:电压 |
零件状态:停产 |
供应商器件封装:SMD |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(典型):1.1mA |
光敏响应度(典型):111mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(最大):10mV |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:4-SMD |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流:1.1 mA(典型值) |
响应度:96 mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:1510(3825 公制) |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压:0 ~ 0.08 V |
最大输出电压:4.9 V |
波长:640nm |
波长峰值:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:10 ~ 20 μs |
输出脉冲下降时间:6.4 ~ 10 μs |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(关断模式):5μA ~ 12μA |
供电电流(工作模式):2mA ~ 3mA |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
包装形式:卷带(TR)、剪切带(CT)、Digi-Reel® |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
封装材料:无铅,RoHS 合规 |
封装类型:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作温度:-25°C ~ 70°C |
工作温度范围:-25°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗频率典型值:0.4Hz ~ 10Hz |
波长:640nm |
波长响应:320nm ~ 1050nm |
温度系数:±200ppm/°C |
灵敏度范围:1×, 10×, 100× |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出使能控制:OE(低电平有效) |
输出占空比:50% |
输出接口兼容性:TTL/CMOS |
输出类型:频率 |
输出频率可编程分频:1, 2, 10, 100 |
输出频率比例系数(640nm):790Hz/(μW/cm²) |
输出频率误差:±15% |
零件状态:停產 |
频率输出范围:0.8kHz ~ 1.2MHz(可编程) |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(关断模式):5μA ~ 12μA |
供电电流(工作模式):2mA ~ 3mA |
典型响应度:790 Hz/(μW/cm²) |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
包装形式:卷带(TR), 剪切带(CT), Digi-Reel® |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.154inch,3.90mm 宽) |
工作温度:-25°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
温度系数:±200 ppm/°C |
灵敏度调节:1×, 10×, 100× |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:频率 |
输出频率精度(TSL230BRD):±10% |
输出频率范围(典型):0.8kHz ~ 120kHz |
零件状态:停產 |
频率缩放:1, 2, 10, 100 |
供应商器件封装:4-SMD |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:SMBus |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
分辨率:16位 |
功耗:0.75 mW(典型) |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD,无引线 |
封装类型:6-SMD,无引线 |
工作模式:自动积分模式 |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接口类型:SMBus / I²C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:SMBus |
ESD耐受性:2000V |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-DFN(2x2) |
供电电流(工作模式):0.24mA ~ 0.6mA |
供电电流(待机模式):3.2μA ~ 15μA |
动态范围:1,000,000:1 |
存储温度范围:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作频率:735kHz |
接近探测:无 |
数字输出位数:16位 |
最大转换时间:400ms |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
通信接口:I²C / SMBus |
中断功能:支持 |
供应商器件封装:6-BGA |
供电电压范围:2.38V ~ 3V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WFBGA,CSPBGA |
封装类型:6-WFBGA,CSPBGA |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作电流(典型):0.6 mW |
接口类型:SMBus / I²C |
接近探测:无 |
数字输出电压:1.8V |
最大供电电流(工作模式):0.6 mA |
最大供电电流(待机模式):15 μA |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.38V ~ 3V |
类型:环境 |
输出类型:SMBus |
供应商器件封装:4-SMD |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流:3.8 mA |
响应灵敏度:680 mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:1510(3825 公制) |
封装类型:4-SMD |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
波长峰值:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
电源抑制比 (PSRR):35 dB (1kHz) |
类型:环境 |
输出噪声电压:200 μVrms (dc至1kHz) |
输出摆幅:4.49V (VDD=4.5V, 无负载) |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:6-ODFN(2x2) |
供电电压:2.6V ~ 3.6V |
动态范围:2000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装尺寸:2mm x 2mm |
封装类型:6-WDFN |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
工作电流(活动模式):175 μA ~ 250 μA |
工作电流(睡眠模式):2.5 μA |
工作电流(等待模式):65 μA |
接近探测:是 |
最大LED驱动电流:100 mA |
最大工作频率:400 kHz |
最大脉冲数:255 |
检测距离(典型):18 英寸 |
波长:850nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:IR |
脉冲周期:16.3 μs |
输出接口:I²C |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:4-ChipLED |
供电电压:2.3V ~ 3.3V |
动态范围:3 lux 到 220,000 lux |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
封装类型:4-SMD,无引线 |
尺寸:2 mm × 2 mm |
工作温度:-15°C ~ 70°C |
工作温度范围:-15°C ~ 70°C |
工作电流(典型值):110 μA |
待机电流(典型值):2.2 μA |
接口电压:1.8 V |
接近探测:无 |
数字输出位数:16位 |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.3V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
集成时间选项:100 ms, 200 ms, 400 ms |
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