供应商器件封装:20-LGA(4.5x4.7) |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:20-BFLGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:无 |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C,SPI |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向,3 引线,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度:137mV/(uW/cm²) @ 635nm |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
峰值波长:635nm |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
接近探测功能:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大输出电压:3.3V |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压:0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:260μs |
供应商器件封装:SMD |
供电电流:1.1mA |
光敏响应度:137mV/(uW/cm²) @ 635nm |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压:0 ~ 10mV |
最大供电电压:6V |
最大输出电压:3.3V |
波长:635nm |
温度系数:0.08%/℃ |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压:0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:260μs |
供应商:ams |
供应商器件封装:8-SOIC |
包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® |
响应度:64 mV/(μW/cm²) |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SOIC(0.173inch,4.40mm 宽) |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作电流:1.1 mA |
接近探测:无 |
最大暗电压:10 mV |
波长:640nm |
温度系数:0.1 mV/°C |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出电压范围:0V ~ 3.3V |
输出类型:电压 |
零件状态:停产 |
供应商器件封装:6-SMD |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
光照响应率:18.7 mV/(μW/cm²) @ 525nm |
典型供电电流:0.8mA |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:525nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:6-ODFN(2x2) |
供电电压范围:2.6V ~ 3.6V |
分辨率:16位 |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装尺寸:2x2mm |
峰值波长:625nm |
工作模式电流:175μA ~ 250μA |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接近探测:是 |
接近探测功能:是 |
波长:625nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
睡眠模式电流:2.5μA |
等待模式电流:65μA |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
I²C频率:400kHz |
供应商器件封装:6-DFN(2x2) |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装类型:6-DFN(2x2) |
尺寸:2mm × 2mm |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
数字输出位数:16位 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
静态电流:3μA(关断模式) |
I²C通信速率:400kHz |
供应商器件封装:6-CSP |
供电电压:2.7V ~ 3.6V |
动态范围:1,000,000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WFBGA,CSPBGA |
尺寸(封装):1.25mm × 1.75mm(芯片级封装), 2mm × 2mm(扁平无引脚封装) |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
工作温度范围:-30°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
数字输出分辨率:16位 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
静态电流(关断模式):3μA |
供应商器件封装:模块 |
供电电压:1.7V ~ 2V,2.9V ~ 3.6V |
唤醒时间:100μs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD 模块 |
封装形式:6-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
模块尺寸:1.0mm x 2.0mm x 0.5mm |
波长:940nm |
电压 - 供电:1.7V ~ 2V,2.9V ~ 3.6V |
睡眠模式电流:0.7μA |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:模块 |
供电电压:1.7V ~ 2V,2.9V ~ 3.6V |
唤醒时间:≤100μs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD 模块 |
封装类型:6-SMD 模块 |
工作模式:接近探测 |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
最大功耗:20mW |
模块尺寸:1.0mm x 2.0mm x 0.5mm |
波长:940nm |
电压 - 供电:1.7V ~ 2V,2.9V ~ 3.6V |
睡眠电流:0.7μA |
类型:环境 |
红外波长:940nm |
输出接口:I²C |
输出类型:I²C |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
供应商器件封装:6-ODFN(2x2) |
动态范围:2000:1 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-WDFN |
封装尺寸:2mm x 2mm |
封装高度:0.65mm |
工作电流(活动模式):175μA ~ 250μA |
工作电流(睡眠模式):2.5μA |
工作电流(等待模式):65μA |
接口速率:400 kHz |
接近探测:是 |
波长:850nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:IR |
输出类型:I²C |
I²C 时钟频率:最大 400kHz |
LED 电流 - 可编程最大值:200mA |
供应商器件封装:6-SMD |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-UFDFN 裸露焊盘 |
尺寸:2mm x 2.1mm x 0.6mm |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
接近探测:是 |
检测范围 - 接近:250mm |
波长:850nm |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V |
电流消耗 - ALS 操作:90μA |
电流消耗 - 待机模式:0.8μA |
电流消耗 - 接近操作:90μA |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
供应商器件封装:8-SMD |
供电电压:2.3V ~ 3.6V |
供电电压范围(LED):2.3V ~ 5.5V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD,无引线 |
接近探测:是 |
检测距离(接近):10cm |
波长:560nm |
电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V |
电流消耗(ALS模式):90μA |
电流消耗(PS模式):60μA |
电流消耗(待机模式):0.8μA |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:模块 |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) |
接近探测:无 |
波长:950nm |
电压 - 供电:1.7V ~ 2V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
外壳封装:径向,3 引线,侧视图 |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向,3 引线,侧视图 |
封装形式:3 引线 SIDELOOKER |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流:2 mA ~ 3 mA |
典型响应率:500 Hz/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
封装类型:径向 - 3 引线 |
工作温度:-25°C ~ 70°C |
工作温度范围:-25°C ~ 70°C |
工作频率范围:0 Hz ~ 100 kHz |
接近探测:无 |
最大供电电压:6V |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出低电平电压:0.25V ~ 0.4V |
输出类型:频率 |
输出高电平电压:4V ~ 4.5V |
非线性误差:0.2% @ 100 kHz |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度(635nm):137mV/(uW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大输出电压(VDD=4.5V):3.3V |
波长:635nm |
波长峰值:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间(TSL250R):260μs |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
响应灵敏度典型值:9mV/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大输出电压(4.5V供电):3.3V |
波长:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压(10kHz):1.5μV/√Hz |
输出噪声电压(1kHz):1μV/√Hz |
输出电压典型值(222μW/cm²):2V |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间典型值:2.5μs |
输出脉冲下降时间典型值:2.5μs |
供应商器件封装:3 引线 SIDELOOKER |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流(典型):1.1mA |
响应率(典型):111 mV/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压(最大):10mV |
波长:940nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:IR |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:模块 |
供电电压:2.6V ~ 3.6V |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-SMD 模块 |
封装尺寸:3.94mm × 2.36mm × 1.35mm |
工作温度:-30°C ~ 85°C |
工作温度范围:-30°C ~ 85°C |
工作电流(活动模式):175μA ~ 250μA |
工作电流(睡眠模式):2.5μA |
工作电流(等待模式):65μA |
接口速率:最高 400kHz |
接近探测:是 |
检测距离:100mm |
波长:850nm |
电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V |
类型:环境 |
输出类型:I²C |
供应商器件封装:径向引线 |
供电电压范围:2.7V ~ 5.5V |
供电电流:1.1 ~ 1.7mA |
响应灵敏度:248 mV/(μW/cm²) |
安装类型:通孔,直角 |
封装/外壳:径向 - 3 引线 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压范围:0 ~ 0.08V |
最大输出电压:4.9V |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:SMD |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
波长:640nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出类型:电压 |
供应商器件封装:SMD |
供电电压:2.7V ~ 5.5V |
供电电流典型值:1.1mA |
光敏响应度:137mV/(uW/cm²) @ 635nm |
安装类型:表面贴装,直角 |
封装/外壳:3-SMD,侧视图 |
封装类型:3-SMD,侧视图 |
工作温度:0°C ~ 70°C |
工作温度范围:0°C ~ 70°C |
接近探测:无 |
暗电压最大值:10mV |
最大输出电压:3.3V |
波长:635nm |
波长峰值:635nm |
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V |
类型:环境 |
输出噪声电压:0.8μV/Hz |
输出类型:电压 |
输出脉冲上升时间:260μs |
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