NTC Wafer 晶圆有线测温系统:泛半导体中低温制程原位高精度测温方案

2026-09-14
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在泛半导体中低温工艺中,晶圆真实温度、片内温度均匀性直接决定薄膜工艺、光刻烘烤、器件封装的产品良率。传统基座测温、红外非接触测温易受真空、等离子体、反光镀膜干扰,无法获取晶圆本体真实温度场数据。NTC Wafer 晶圆有线测温系统以4 线制 NTC 热敏电阻为传感核心,将微型传感器阵列集成于标准硅晶圆,搭配高精度采集硬件与 ZCDAQ TEMP 分析软件,在 0‑100℃区间实现亚毫开级的多点分布式原位测温,为设备标定、工艺开发、腔体温场验证提供可溯源的量化温度数据,助力泛半导体设备性能提升与良率改善。

NTC Wafer;晶圆测温;4 线制;原位温度监测;半导体温场验


NTC Wafer 晶圆温度监测系统专为泛半导体领域打造,可实现晶圆高精度、高可靠性原位温度测量与监控,助力优化工艺设备性能,提升产品品质与产线产能。

整套系统由NTC 晶圆传感器、高精度测温模块、ZCDAQ TEMP 温度采集软件三部分构成,可完成真空腔体内晶圆多点温度采集、数据记录与可视化分析,同时支持软硬件一体化嵌入式集成方案,适配多样化的现场使用需求。传感专家传感专家

NTC 晶圆传感器技术规格

传感晶圆与标准硅片物理规格一致,可直接上机替代量产硅片,实现在真实真空工况下的温度验证。系统采用 4 线制测量架构,有效消除引线电阻引入的测量偏差;搭配聚酰亚胺扁平真空馈通电缆,稳定输出腔体内微弱测温信号。

表格

名称技术指标
标称电阻10kΩ、5KΩ@25℃
温度测量范围0‑100℃
测温精度可达 ±0.01℃,±0.001℃
重复精度可达<0.01℃,<0.002℃
接线方式4 线制
适配晶圆尺寸4、6、8、12 英寸
测温点数可按需选配
点位分布均匀分布或按客户工艺定制排布
晶圆厚度0.725mm
真空馈通带聚酰亚胺扁平电缆,适配环境至高 10⁻⁷Torr,电缆长度可定制
引线长度 L12m、3m、5m、10m,支持工况定制
引线端子DB 接头 / 智能航空插头
校准提供智测电子官方校准证书

高精度测温模块技术规格

测温模块采用微安级低激励电流设计,最大限度抑制传感器自发热带来的温度偏移;提供多通道规格选型,兼顾实验室小点位测试与大面积晶圆阵列测温;搭载工业级通讯接口与标准协议,方便对接上位机或集成至设备控制系统。

表格

名称技术指标
测温范围0‑100℃
测温精度可达 ±0.01℃,±0.001℃
重复精度可达<0.01℃,<0.002℃
硬件测量分辨率0.001℃,0.0001℃
测量通道数量8、18、32、48 通道可选
采样频率1Hz
激励电流≤10uA
状态指示运行 / 故障指示灯
通道控制单通道独立控制
信号输入4 线制 10KΩ 热敏电阻
通讯接口LAN/RS485/USB
通讯协议Modbus RTU
探头接口DB 接头 / 航空插头
配套软件ZCDAQ Wafer,支持采集、记录、数据分析、热图生成
供电电源AC220V/50Hz

ZCDAQ TEMP 温度采集软件

配套 ZCDAQ TEMP(ZCDAQ Wafer)软件,完成多点温度信号的精准采集、存储与深度分析。软件将晶圆温度变化趋势、全域温度场分布通过曲线图表、二维热图直观呈现,便于工程师评估腔体内部温度均匀性,原始测试数据可导出,服务于工艺研究与设备验证工作。
同时支持软硬件一体化嵌入式解决方案,可无缝集成到客户现有控制系统中。

应用场景

NTC Wafer 晶圆有线测温系统聚焦 0‑100℃中低温工艺段,兼容 4‑12 英寸主流晶圆,广泛应用于泛半导体设备性能验证、新工艺开发、机台定期维护点检等场景。
系统直接采集晶圆本体真实温度,规避基座测温、红外测温的固有局限,输出可溯源的实测数据,为工艺迭代优化与产品良率提升提供可靠依据。


高温工况可选用 TC Wafer 热电偶晶圆测温系统



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