瑞萨电子推出第三代DDR5 MRDIMM芯片组，助力AI数据中心提升内存带宽
2026年7月30日，中国北京讯——全球领先的半导体解决方案提供商瑞萨电子（东京证券交易所代码：6723）宣布推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案。该方案支持高达16,000兆次传输/秒（MT/s）的服务器级MRDIMM性能，专为满足人工智能（AI）数据中心、云计算基础设施及高性能计算（HPC）等场景中日益增长的内存带宽需求而设计。
瑞萨计划于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的FMS 2026（存储与内存未来大会）上展示其第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，RRG5013x）和多路复用数据缓冲器（MDB，RRG5103x）。
随着AI模型规模的持续扩大以及计算任务对数据的依赖程度不断加深，系统架构师在保持现有服务器平台兼容性的同时，正面临提升内存带宽的挑战。瑞萨的第三代MRDIMM解决方案在延续现有DDR5基础设施的基础上，相较第二代产品实现了25%的带宽提升。这一改进意味着服务器平台无需进行大规模架构调整，即可实现性能跃升。
瑞萨提供的MRDIMM平台已通过现场验证并具备量产能力，涵盖MRCD、MDB、电源管理IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器及温度传感器等关键组件。该平台化策略为客户在跨代升级中提供了灵活的性能扩展能力，同时确保设计的延续性并加快产品部署。
第三代MRDIMM在继承第二代产品架构的基础上，进一步扩展了性能，同时保持了标准DIMM的外形尺寸和系统兼容性。此外，该产品还增强了系统的可视性与稳定性，例如引入设备均衡自训练模式（DESTM）的质量指示状态，使用户能够对时序和接收端均衡训练进行微调，从而优化系统裕量。
在能效方面，瑞萨第三代MRDIMM解决方案也进行了优化设计，旨在帮助客户在满足日益增长的带宽需求的同时，兼顾系统散热和功耗限制。相关功耗对比数据已包含在配套的产品文档中。
AMD公司计算与企业AI平台解决方案工程部执行副总裁Amit Goel表示：“AMD一直致力于支持开放且基于标准的技术，这些技术推动了数据中心的持续创新，并为AI和HPC工作负载的演进提供了更高的灵活性。MRDIMM和瑞萨芯片组等下一代内存形态的创新，对于实现更高带宽、更高效率以及平台可扩展性至关重要。”
瑞萨电子内存接口事业部副总裁兼总经理Sameer Kuppahalli表示：“AI训练和推理工作负载正在深刻改变数据中心的系统内存需求。为满足这些工作负载对内存容量和吞吐量的高要求，瑞萨始终走在行业前沿，推出了第三代MRDIMM芯片组组件。我们的客户正在利用瑞萨完整的芯片组组件，不断突破内存吞吐量和容量的边界。”
目前，瑞萨正与领先的CPU及平台合作伙伴密切合作，推动第三代MRDIMM在下一代服务器平台中的应用落地，进一步巩固其作为AI与云基础设施可扩展内存架构的地位。
供货信息
瑞萨第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）已开始向包括主要DRAM供应商在内的特定客户提供样品，预计将于2027年下半年实现量产。