芯存远见，轻启未来：华邦电子引领可穿戴设备设计革新
随着人工智能技术的不断成熟，可穿戴设备正逐步渗透至人们的日常生活和工作场景。2026 年 1 月在拉斯维加斯举办的 CES 展会上，多款创新产品集中亮相，标志着这一技术领域正迎来大规模普及的关键拐点。新一代产品设计不仅融合了用户易于理解且关注的核心功能，更在外观上呈现出轻薄、时尚、舒适与实用并重的风格——这些正成为赢得市场认可的重要因素。
以消费级智能眼镜为例，其市场热度的回升正是建立在早期探索成果之上。尽管2010年代初期消费端市场反应平淡，但在工业环境中，智能眼镜已广泛用于为操作人员提供实时工艺流程与设备信息，从而有效提升产品质量、降低操作错误率，并显著提高工作效率。
如今，随着边缘 AI 技术的嵌入，智能眼镜正释放出更强的实用功能，为日常生活带来便利，也为市场开辟了全新赛道。从阅读辅助（如实时语言翻译）到出行导航（结合游客信息与周边设施的增强型 GPS），其功能日益丰富。同时，设备在轻薄化和时尚感上的突破——如 CES 展示的多款新品——也反映出用户对整体体验的高度关注。这一切得益于电子元件的微型化与低功耗化趋势，尤其是闪存与 DRAM 技术的持续演进。
智能眼镜中的存储设计挑战
智能眼镜的设计面临诸多技术限制，包括功耗、散热与空间等多方面考量。镜框需保持轻盈，限制了 PCB 布局空间及元器件高度；同时，用户对长续航的期待又与电池尺寸受限之间形成矛盾。此外，系统还需具备即时响应能力，以保障显示与传感器反馈的流畅性，从而提升佩戴体验。
因此，在高度受限的结构中实现存储子系统在容量、响应速度与能耗间的平衡，成为设计中的核心挑战。无论是系统启动、传感器数据处理、无线通信，还是图形渲染，存储芯片的尺寸、读写性能与功耗表现，都会直接影响设备外观、佩戴舒适度与整体性能。
低电压 QSPI NOR 闪存的突破
1.8V 低电压 QSPI NOR 闪存在代码与参数存储方面展现出显著优势。它支持与低电压处理器共享电源轨，简化供电结构，提升系统整体效率。此外，该类 NOR 闪存具备高达 105°C 的工作温度适应能力，使其不仅适用于消费级设备，还能拓展至工业级边缘计算与 AI 领域，支持高负载应用。
作为全球领先的闪存供应商，华邦电子推出的 1.2V QSPI NOR 闪存，进一步推动存储产品向更低功耗演进。在保持高性能的同时，该产品显著降低了运行电流与待机电流。相较于传统 1.8V 或 3.3V 产品，其工作电压接近 1V，能效优势明显。
该 NOR 闪存采用 4KB 标准扇区结构，支持 Dual SPI、Quad SPI 与 QPI 等先进接口，实现高速数据访问与 XIP（就地执行）功能。其掉电电流低至微安级，非常适合需要长时间休眠的可穿戴应用。
封装方面，WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）与 USON（超小型无引脚封装）可有效适应 PCB 空间受限的设计场景。低功耗与小型化成为可穿戴设备设计的核心诉求，这有助于降低充电频率，提升用户体验。
常见封装尺寸
HYPERRAM™：高性能低功耗动态内存方案
华邦电子推出的 HYPERRAM™ 采用 HyperBus 接口，提供一种功耗较低、吞吐量较高的存储方案，可替代传统 DRAM 或 pSRAM，适用于空间受限的嵌入式系统。
HYPERRAM™ 仅需 13 根信号线即可运行，减少了引脚数量与布线复杂度，有助于降低设计与制造成本，同时节省 PCB 面积。其待机电流控制在数十微瓦范围内，能够满足便携设备对长续航的严苛要求。容量覆盖 32Mb 至 256Mb，可灵活适配不同处理需求。
该方案采用 WLCSP 与 FBGA（细间距球栅阵列）封装，进一步缩小了设备体积。HYPERRAM™ 可达 400MB/s 吞吐率，工作功耗低于 50mW，1.8V 混合休眠模式下功耗仅为 35µW。凭借其数据缓冲、帧存储与图像处理能力，可支持多种实时传感器与显示处理任务，同时规避传统 DRAM 的高能耗问题。
1.2V QSPI NOR 闪存与 HYPERRAM™ 的协同应用，构成了专为功耗与空间受限系统量身打造的存储架构。该方案不仅提升了显示响应与数据处理效率，也延长了设备续航时间，满足下一代智能眼镜在机械、电气与功耗方面的核心需求。
应用实例：W25Q32JWBYIQ 闪存在智能眼镜中的部署
为满足新兴市场对智能眼镜的多样化需求，华邦 W25Q32JWBYIQ QSPI NOR 闪存被用于存储系统固件、校准数据、图形资源与配置参数。该产品采用 WLCSP 封装，工作电压为 1.8V，容量为 32Mb，外形超薄，便于嵌入镜腿等狭小空间。
该闪存支持高频 Quad SPI 模式，实现高速数据访问与 XIP 功能，避免了耗时的数据加载过程。与前代产品相比，其读取速度提升约 30%，擦除时间缩短近 50%，从而显著提高 OTA 固件升级效率。同时，读取功耗最高降低 66%，有助于延长电池寿命，缓解可穿戴设备用户对续航的担忧。
可穿戴系统中存储设计的关键考量
在集成存储芯片时，电源域规划至关重要。1.2V NOR 闪存与处理器核心电源相匹配，可减少稳压器数量。封装选择同样关键，WLCSP 与 USON 封装可充分利用边缘空间。
对于高频 SPI 与 HyperBus 接口，信号完整性需要严格控制，通过阻抗匹配、走线优化与接地设计，确保高速通信的可靠性。在系统空闲时，通过使存储进入深度睡眠模式，可进一步降低功耗。
存储容量的选型需精准匹配系统负载。容量过大会浪费空间与成本，而容量不足则可能成为数据处理瓶颈。工作负载分析有助于确定最优容量配置。此外，设备贴身佩戴的特性要求关注散热设计与人机工学。
总结：突破设计边界，迎接智能穿戴新时代
在智能眼镜等可穿戴设备的设计中，工程师面临多重挑战：既要实现高性能，又要兼顾超低功耗与紧凑结构，同时确保用户交互流畅。超低电压 QSPI NOR 闪存为系统提供可靠代码存储支持，而 HYPERRAM™ 为持续的数据处理任务提供高效内存资源。两者的协同应用，为下一代智能设备的创新打开了广阔空间。
关于华邦电子
华邦电子是全球领先的利基型内存解决方案提供商，业务涵盖产品设计、技术研发、晶圆制造、市场推广与客户服务。公司产品广泛应用于通讯、消费电子、工业、汽车及计算机周边等领域，包括利基型 DRAM、移动内存、编码闪存及 TrustME® 安全闪存等。
华邦电子总部位于中国台湾中部科学园区，设有两座 12 英寸晶圆厂，并持续导入自有研发的先进制程，致力于为全球客户提供高质量的存储产品。同时，公司在大陆、香港、美国、日本、以色列和德国等地设有子公司，提供本地化支持与服务。