三星电子开发出全球首例900层超高堆叠3D NAND闪存原型
据韩国媒体报道，三星电子近日成功开发出全球首个达到900层堆叠高度的3D NAND闪存原型。该技术基于单元多层键合（Cell Multi-Bonding，CMB）工艺，将两片450层的3D NAND晶圆垂直整合，从而打破了传统单次堆叠的结构限制。
该原型不仅实现了层数的突破，存储单元的电气性能也已通过验证，标志着三星在高密度存储器研发方面迈出了关键一步。
创新工艺应对制造挑战
在该原型的制造过程中，三星电子采用了一种名为“上部卡盘”（Upper Chuck）的工艺方案，有效缓解了晶圆在堆叠过程中产生的翘曲问题，从而提升了晶圆对准精度。
同时，公司还引入了一种新型的套刻校正技术，用于消除因微细结构带来的对准误差。此外，通过对位线（Bit Line，BL）和字线（Word Line，WL）结构的优化设计，进一步提升了存储密度并降低了整体芯片的功耗与体积。