全球首只专注于内存芯片的ETF问世，引发市场热议
4月7日，随着人工智能技术持续升温，全球市场对AI基础设施的关注正逐步从GPU向更基础的存储架构转移。内存芯片作为AI计算中不可或缺的底层资源，其战略地位日益凸显。在这一背景下，全球首只纯粹聚焦于内存芯片领域的ETF应运而生。
4月2日，由Roundhill资本管理公司推出的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）在纳斯达克正式挂牌交易，标志着该领域迎来了首个直接投资工具。
首个交易日，DRAM ETF以29.16美元报收，较前一交易日上涨1.40美元，涨幅达5.04%。该ETF的迅速上涨反映了市场对内存芯片行业当前热度的高度认可，但也有部分投资者开始担忧，这类产品是否会成为存储市场泡沫化的预警信号。
聚焦存储产业，构建高集中度投资组合
据官方公告显示，DRAM ETF采用主动管理策略，管理费率为0.65%。该基金聚焦于那些超过50%营收来自于HBM（高带宽内存）、DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存的半导体企业。
当前，该ETF投资组合中三大全球DRAM龙头企业的合计持仓权重超过70%。其中包括美光科技（24.99%）、三星电子（24.22%）和SK海力士（23.83%）。此外，其组合还囊括了闪迪、铠侠、西部数据、希捷，以及中国台湾的南亚科和华邦电等主要存储厂商。
相较于覆盖广泛半导体细分领域的传统ETF，DRAM ETF更加聚焦于存储芯片行业，直接响应AI时代对数据存储和带宽需求的持续增长。
对于美国投资者而言，尽管SK海力士即将在美国市场发行股票，但其他关键标的，如三星电子，由于未在美上市，使得相关投资渠道仍较为受限。
ETF的诞生：市场定位的转变
业内专家认为，DRAM ETF的推出具有标志性意义。它不仅代表了一种新的投资工具，更标志着资本市场开始将内存芯片这一细分赛道从泛半导体领域中独立出来，形成可以被交易、定价和推广的独立资产类别。
分析师指出，一个行业一旦被命名、打包并以金融产品的形式推向市场，就标志着其从产业逻辑迈向金融逻辑的重要跃迁。DRAM ETF的诞生正是这一演变过程中的关键节点。
市场是否已进入过热阶段？
随着DRAM ETF的上市，市场也开始反思：内存芯片行业是否已经进入过热阶段？
部分机构指出，当某个细分行业热到足以催生专属ETF时，往往意味着其市场热度已接近尾声。BTIG首席市场技术分析师乔纳森·克林斯基便是这一观点的代表人物。
他提到，过去一年中，高盛科技、媒体与电信（TMT）存储指数已累计上涨350%，并在2024年2月达到400%的峰值。而DRAM ETF直到此时才推出，这一时间点被视作“反向卖出信号”的一种体现。
“如果历史能够提供参考，那么现在可能是出售那些被市场热烈追捧的股票的最佳时机。”克林斯基直言。
他引用了多个过往案例来佐证这一观点。例如，2021年推出的Roundhill Meme Stock ETF（代码：MEME）在2023年11月关闭前累计下跌超过70%。另一例则是2008年推出的VanEck煤炭ETF，该产品在2020年关闭时已大幅贬值，但煤炭价格随后却大幅回升。
类似地，2021年推出的比特币期货ETF也经历了超过77%的跌幅。在这些案例的映射下，DRAM ETF是否会重蹈覆辙，成为市场泡沫的预警者，也成为当前讨论的焦点。
克林斯基特别指出，DRAM ETF中权重最高的美光科技，其股价目前远高于200日均线，达到150%以上的溢价，创下历史最高水平，甚至超过了互联网泡沫时期的极端水平。在此背景下，DRAM ETF未来是否面临市值大幅回调的风险，仍需持续观察。