闪迪启动高带宽闪存HBF量产准备，目标2024年投产
在全球存储市场持续升温的背景下，高带宽内存（HBM）和NAND闪存在各自领域引领价格上行趋势。而随着AI、高性能计算等应用对大容量、高带宽存储的需求不断攀升，NAND闪存在堆叠技术上的突破也备受期待。作为应对这一需求的关键技术，东芝闪迪（Kioxia）去年2月推出的高带宽闪存（HBF, High Bandwidth Flash）成为业界关注的焦点。
据韩媒Etnews近日报道，东芝闪迪已开始着手构建HBF产品的完整供应链体系，涵盖材料、组件与制造设备。此外，相关产线的建设工作也已进入筹备阶段。
据多位行业内部人士透露，公司正在与多家合作伙伴展开深入交流，以期尽快引入关键生产设备。部分企业已开始规划采购订单（PO），试产线预计将于今年下半年建成，并在年底前投入试运行。首款HBF原型产品预计将在明年进入市场。考虑到日本在半导体制造方面的优势，日本被视作HBF产线的热门选址之一。
HBF在设计原理上与HBM高度相似，均通过堆叠多达16层的3D NAND闪存芯片，实现更高的存储密度与数据处理能力。这种架构特别适用于需要高速数据存取的AI训练与推理任务。凭借类似的结构设计，HBF在带宽表现上被认为可与HBM一较高下。
从技术路线图来看，首款HBF产品的读取带宽可达1.6TB/s，与当前HBM的“无限容量版”性能差距控制在2.2%以内。后续两代产品则有望进一步提升至2TB/s和3.2TB/s，同时在单叠层容量与能效方面实现优化。
目前，包括东芝闪迪、SK海力士与三星在内的多家存储巨头已相继启动HBF的研发进程，市场普遍关注其能否在性能上与HBM分庭抗礼。值得注意的是，HBF与HBM在制造工艺方面高度兼容，因此产线改造与转产周期相对较短。
据业内人士分析，三星电子和SK海力士目前在HBM市场占据主导地位，未来极有可能将现有HBM产线进行技术调整后，用于HBF的生产。其中，SK海力士已被确认为东芝闪迪在HBF标准化进程中的关键合作伙伴，而三星则选择了独立推进其HBF项目。
韩国科学技术院（KAIST）的金正浩教授对HBF的未来发展持乐观态度，预测其市场规模将在2038年前超越HBM，成为下一代高性能存储解决方案的重要力量。