三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇
4月8日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目正式在城厢镇签约落地。根据“太仓发布”公众号披露的信息，该项目总投资额达20亿元人民币，首期投入资金为10亿元。这一战略性布局有望推动区域产业能级提升，并为未来产业发展提供强劲动力。
该项目聚焦InP（磷化铟）激光器和光电探测器芯片、GaAs（砷化镓）激光器芯片的研发与制造，致力于构建涵盖外延生长、光芯片制造及光电融合的一体化产业链。通过整合材料、工艺与系统集成，项目将打造具备完整自主知识产权的半导体光芯片制造平台。
按照规划，首期工程预计于今年8月启动建设，2028年实现投产。项目全面达产后，预计年产能将超过10亿元人民币，进一步夯实本地在化合物半导体领域的产业基础。