三星电子推进HBM5研发，2nm工艺首次应用
三星电子近期被曝正在推进第八代高带宽内存（HBM5）的研发工作。据韩国媒体报道，该产品的核心芯片将采用1c工艺（第六代10纳米级制程），而其底层逻辑芯片（Base die）则计划采用更先进的2nm FinFET工艺。
这一策略显示出三星在保持现有成熟制程优势的同时，逐步引入更先进工艺以提升整体性能。此前，第六代HBM4已采用1c工艺，而此次HBM5的升级则体现在基础芯片上，标志着2nm工艺首次在高带宽内存结构中得到应用。
对于下一代HBM5E产品，三星进一步规划将核心芯片升级为基于1D工艺（第七代10纳米级）的DRAM单元，同时继续沿用2nm工艺制造底层芯片，以实现更高能效和更紧凑的封装结构。