北方华创在高深宽比深孔刻蚀设备上取得关键技术突破
12月初，一份来自瑞银（UBS）的行业报告指出，国内领先的半导体设备制造商北方华创（NAURA）可能在90:1高纵横比深孔刻蚀技术上取得了重要进展。这项技术被认为是推动300层以上3D NAND闪存制造的关键。
据瑞银分析，若北方华创成功赢得国内NAND闪存晶圆厂的订单，将为其带来数亿乃至数十亿美元的潜在市场机会。同时，在先进逻辑芯片需求持续增长的背景下，来自国内客户在该领域的收入仍有较大提升空间。
基于上述进展与预期，瑞银已对北方华创2026及2027年的晶圆厂设备（WFE）收入预测进行了相应上调，分别提高1%和8%。
3D NAND堆叠技术推动深孔刻蚀工艺革新
随着3D NAND技术不断演进，其堆叠层数已逐步向300层以上迈进。这种结构类似建造数百层的摩天大楼，每一层之间都需要通过高深宽比的深孔刻蚀设备打通垂直通道，形成类似“电梯井”的结构，以实现各层间的电气连接。
在3D NAND制造中，每一层材料的厚度通常为数微米，而要实现数百层之间的互联，必须依靠高深宽比深孔刻蚀设备精准地钻通整座“大楼”。这些结构不仅要求刻蚀深度极深，还需保持垂直度、均匀性和互不干扰的特性。
此外，为提高单位面积上的存储单元密度，每个垂直通道孔的直径也被压缩至几十纳米级别。对于200层以上的3D NAND，其深宽比已普遍超过60:1，而随着层数增加和孔径进一步缩小，300层以上的产品则需要达到90:1甚至100:1的高深宽比。这种工艺属于半导体制造中最为严苛的刻蚀技术之一。
国内厂商在高深宽比刻蚀领域持续突破
值得一提的是，国内另一家刻蚀设备龙头企业——中微公司（Ampleon）此前已宣布，在存储领域所需的高深宽比深孔刻蚀技术上实现了90:1的技术突破，并正在向100:1目标迈进。
北方华创此次在90:1高深宽比刻蚀设备上的进展，进一步推动了国内高端半导体制造设备的自主化进程，对于提升3D NAND产品良率与量产能力具有重要意义。