Littelfuse推出新型TMR磁性开关，实现超低功耗与高灵敏度磁感应
Littelfuse近日宣布推出两款基于隧道磁阻（TMR）技术的新型磁性开关：LF21112TMR全极开关与LF11215TMR双极开关。这两款器件结合了高磁灵敏度、出色的热稳定性以及超低功耗，适用于智能电表、物联网设备、可穿戴设备及多种紧凑型电子产品。
作为一家领先的多元化工业技术制造商，Littelfuse致力于推动可持续发展、互联与更安全的世界。此次发布的TMR开关融合了先进的磁阻传感技术与低功耗CMOS架构，旨在为电池供电系统及常开式应用提供高效、可靠的传感方案。
拓展Littelfuse的TMR传感器产品线
相较于传统霍尔效应传感器，这两款TMR开关在功耗和性能方面均有显著提升。其低功耗特性与高灵敏度使其在各类精密磁传感应用中具有明显优势，标志着Littelfuse磁性传感器产品组合在电池敏感型与常开设备领域的进一步拓展。
- LF21112TMR：Littelfuse首款全极TMR开关，能够同时感知南北磁极，简化磁体对准流程。典型电流消耗仅为200nA，适用于超低功耗场合。
- LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，拥有1.5 μA的超低功耗与17高斯的高磁灵敏度，支持高速、精确的磁信号检测，适用于复杂的方向感应任务。
全极与双极TMR开关的主要区别
全极开关（如LF21112TMR）在检测到任意磁极时均可触发响应，适合空间受限或磁体对齐困难的应用场景。而双极开关（如LF11215TMR）则由特定磁极（如北极）激活，另一磁极（南极）复位，适用于需要方向或旋转感知的场景。
产品关键功能与优势
两款开关均采用SOT23-3小型封装，集成多项先进特性：
- 采用TMR技术，具备更高的磁灵敏度与热稳定性；
- 推挽式CMOS输出，确保干净的数字信号；
- 内置施密特触发器，有效降低噪声并增强系统可靠性；
- 具备优良的抗外部磁场干扰能力；
- 支持宽电压范围（1.8V至5.0V）。
这些优势使得工程师能够开发出体积更小、能耗更低、性能更优的电子产品，同时延长电池寿命并减少设计复杂度。
典型应用领域
这两款磁性开关适用于多种高要求场景，包括：
- 智能水、气、热表计；
- 电池供电型可穿戴设备与物联网传感器；
- 家电与电动工具中的盖板检测；
- 家庭与楼宇自动化系统的防篡改检测；
- 轻工业与机器人系统中的位置或旋转检测。
Littelfuse全球产品经理Julius Venckus指出：“LF21112TMR与LF11215TMR的推出进一步丰富了Littelfuse的TMR产品组合。这些解决方案专为应对紧凑型、低功耗、常开型设备的设计挑战而设计。结合TMR磁技术与超低功耗CMOS架构，这两款开关在极低电流水平下实现了卓越的磁感应与热稳定性。无论是在智能电表、可穿戴设备，还是工业与家庭自动化系统中，它们都能提供高效、可靠且节能的传感性能。”
TMR磁性开关常见问题解答
1. 与霍尔效应传感器相比，TMR开关有何优势？
相较于传统霍尔效应传感器，TMR开关具有更高的磁灵敏度与更低的功耗。这一优势使其特别适用于智能电表和可穿戴设备等对能耗和空间敏感的应用。
2. 全极与双极TMR开关有何不同？
全极开关可响应南北磁极，提升设计灵活性并简化磁体对齐过程。双极开关则通过特定磁极触发并由相反磁极复位，适用于旋转检测或方向感应。
3. 为何适合电池供电与物联网设备？
凭借200nA（全极）与1.5 μA（双极）的极低功耗，这些开关为电池供电设备提供了长续航能力。集成式CMOS设计也确保了在低功耗下维持高效性能。
4. 这些开关适用于哪些具体场景？
它们特别适合空间受限与电池供电的环境，如智能水电表、可穿戴设备、物联网终端、家用电器及自动化系统。其紧凑封装、宽电压支持与抗磁干扰能力，使其易于集成到多种现代电子系统中。
5. 是否可替代现有的霍尔效应传感器？
是的。LF21112TMR和LF11215TMR通常可直接替代霍尔效应开关，而无需对原有电路进行重大修改。其标准SOT23-3封装与兼容的CMOS输出使替换过程简便，同时提升系统性能与节能效果。
产品供货信息
这两款新型TMR开关目前以卷带形式供货，起订量为3000件。样品可通过Littelfuse的全球授权经销商申请。有关授权经销商信息，请访问Littelfuse官方网站。