中科爱毕赛思获新一轮融资，国产Ⅱ类超晶格红外探测器产业化提速
11月27日，国内红外光电探测领域传来重大进展。据麦姆斯咨询消息，中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司（简称“中科爱毕赛思”）已完成新一轮融资。中车资本、国科创投、成都交投、常金控、启泰资本、东海创新投等多家资本机构联合参与投资。此次融资不仅体现出资本市场对该公司技术实力的高度认可，也为国产Ⅱ类超晶格红外探测器的产业化提供了关键助力。
中科爱毕赛思是常州高新区重点引进的半导体企业之一，自2020年由中国科学院上海技术物理研究所孵化成立后，持续聚焦于打破国外在红外探测领域的技术垄断。经过数年技术积累，公司已形成覆盖锑化物超晶格材料外延生长、芯片加工、组件封装及测试的完整产业链，是国内少有的具备高性能红外探测器全链条自主可控能力的IDM企业，填补了国内在该技术领域的多项空白。
技术的自主性与可控性构成了中科爱毕赛思的核心优势。公司深耕Ⅲ-Ⅴ族半导体材料领域，成功突破分子束外延（MBE）和芯片制备两项关键技术。MBE作为现代半导体材料生长的核心手段，被中科爱毕赛思实现原子级精度控制，工艺优化后可完成千层级超晶格材料的高质量外延生长。制备出的外延片具备优异的晶体质量、高均匀性与低缺陷密度，为高性能芯片的制造奠定了基础。
依托这一技术平台，公司开发的中波与长波制冷型红外探测器芯片，具备高量子效率、低暗电流和高均匀性等优势，性能指标达到国际先进水平。目前，公司已拥有20余项发明专利和50余项实用新型专利，技术积累稳居国内领先地位。
2025年9月，中科爱毕赛思的产能建设取得重要进展。公司第三台批产型MBE设备正式投入运行，标志着其核心生产工艺已进入稳定批量化阶段。新设备的投产将显著提升高性能Ⅱ类超晶格外延片与芯片的产能，有助于满足航空航天、安防监控及医疗检测等领域对高端红外探测器日益增长的市场需求，同时为后续成本控制与市场竞争力提升提供有力保障。
本轮资金的投入将主要用于扩建锑化物红外探测器生产线，并加大研发投入，推动Ⅱ类超晶格红外探测技术的持续优化与升级。作为第三代红外光电探测技术的代表，Ⅱ类超晶格技术被广泛认为是未来红外光电发展的核心方向。中科爱毕赛思的持续突破，正在助力我国从该领域“跟跑”走向“领跑”。
资本市场的积极布局，反映了市场对国产红外光电产业未来发展的信心。长期以来，高端红外探测器的核心技术与产能集中于国外少数企业手中，中科爱毕赛思通过IDM模式与自主技术的突破，正在改变这一行业格局。
随着产能的持续释放，中科爱毕赛思将加快技术成果的产业化步伐，不仅有助于缓解国内高端红外探测器供需之间的矛盾，也将通过与上下游企业的协同合作，推动红外光电产业向高质量发展迈进，提升我国在全球半导体光电子技术领域的话语权。