【新品发布】艾为Hyper-Hall™技术革新:超低电压与精准磁校准引领磁传感器新纪元

2025-11-11 16:57:05
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【新品发布】艾为Hyper-Hall™技术革新:超低电压与精准磁校准引领磁传感器新纪元

随着高通旗舰平台全面采用1.2V I/O电平标准,移动终端对低电压、高精度传感器的需求正成为市场的重要趋势。传统霍尔开关在面对3.3V/1.8V电平兼容性以及静态功耗方面的短板逐渐暴露,不仅增加了系统设计的复杂性,也与当前终端设备对“超长续航”和“极致空间效率”的追求相冲突。

为应对这一代际挑战,艾为电子推出的Hyper-Hall X系列霍尔传感器家族再添新成员——AW86503EDC。该产品以1.08V至3.6V的宽电压供电为技术核心,结合晶圆级MCC磁阈值校准与温度补偿算法,成功将磁感应阈值的一致性压缩至±8%的行业领先水平,显著提升磁感应精度。该技术面向智能手机、折叠屏转轴、TWS耳机等终端平台,提供兼具低功耗与高设计自由度的磁传感器解决方案。

产品核心特性

  • 工作电压:1.08V~3.6V
  • 平均功耗:≤1μA
  • 支持单极/双极磁场检测
  • Push Pull 输出接口
  • 支持MCC磁阈值校准
  • 内置温度补偿算法

图1 展示了Hyper-Hall Push Pull架构,图2则为传统Open Drain架构。AW86503EDC采用新型Push Pull结构,在低电压与低功耗应用场景下,相较传统架构功耗降低超过100倍,并减少了电源管理的复杂性,进一步提升了系统集成效率。

晶圆级MCC磁阈值校准技术解析

传统霍尔开关的技术瓶颈

霍尔元件通常由半导体材料(如硅、砷化镓)制成,其材料的纯度、掺杂均匀性以及制造工艺直接影响霍尔电势的一致性。此外,载流子浓度、迁移率以及电阻率随温度波动显著,这些非线性变化容易导致磁感应阈值(Bop/Brp)漂移。再加上封装应力等因素的叠加影响,传统霍尔开关的阈值一致性往往难以突破±30%的典型离散范围。

这种阈值偏差直接导致终端设备在实际应用中出现诸如折叠屏手机、笔记本电脑的开合角度波动超过±15%,以及TWS耳机误触发等问题。这类性能缺陷不仅影响用户体验,还可能成为量产过程中的良率瓶颈和售后成本的隐形隐患。

艾为MCC磁校准技术的突破

借助晶圆级MCC(Magnetic Self-Consistent Calibration)校准技术与温度补偿算法的双重驱动,艾为成功将磁感应阈值的一致性提升至±8%的行业新高度,带来三大核心优势:

  • 精准操控:开合角度波动控制在±5%以内,为折叠屏手机与笔记本电脑带来更流畅的开合体验。
  • 高可靠性:TWS耳机开盖识别准确率达到99.98%,彻底消除“开盖无响应”的使用尴尬。
  • 成本优化:提升终端产品良率并降低售后维修成本,实现终端厂商在品质与利润上的双重提升。

图3展示了MCC磁阈值校准技术的实现机制,表1列出了艾为旗下霍尔开关产品的推荐型号。

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