据科友半导体官方微博报道，科友半导体最近与俄罗斯N公司在哈尔滨签署了战略合作协议，开展了“8英寸碳化硅完美籽晶体”项目合作。
据悉，通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将开发出“无微管、低位错”的完美籽晶，并进一步降低8寸碳化硅晶体内微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长质量和良率，促进碳化硅长晶炉体和工艺技术的优化升级。双方将长期友好合作，充分发挥各方的技术优势，共同提高8英寸碳化硅晶体的生长率，减少晶体缺陷。签约仪式的成功完成，标志着科友半导体与俄罗斯N的合作进入了一个新的阶段。
据了解，俄罗斯N公司在晶体缺陷密度控制方面有着丰富的研究经验，并在相关领域发表了100多篇高水平文章和期刊。长期以来，科友半导体一直致力于碳化硅长晶设备的研发和工艺技术的研发。八英寸电阻炉在高端制造领域得到了高度认可和广泛应用。在哈尔滨新区，从原材料纯化-设备制造-晶体生长-基础加工-延伸晶圆的材料端实现了整个产业链的封闭，致力于成为第三代半导体关键材料和高端设备的主要供应商。