据吴江工信官微消息，11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
据悉，本次启用的英诺赛科（苏州）全球研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等等。
现场还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。