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严选SiC功率技术厂家，提供从SiC功率技术设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。

YES POWERTECHNIX

类型：制造商 产品数量：0

YES POWERTECHNIX成立于2017年，是一家专注于SiC功率半导体（SiC二极管，SiC MOSFET）的公司。 YES POWERTECHNIX是韩国第一家将SiC功率半导体商业化的公司，它在其母公司YEST的全力支持下增加了优秀工程师和国营研究机构的技术支持。环保能源的利用扩大和电动汽车商用化的加速成为第4次产业革命时代的必须技术环境。因此,全世界电气特性突出的SiC功率半导体的适用范围正在扩大,但国内没有批量生产技术和设施,这是产业界的长期苦恼。 2018年股份公司YES POWERTECHNIX以母公司YEST的全面支持为基础,加上我公司拥有的优秀的工程师和国策研究机关的技术支援,SiC功率半导体在国内首次实现了商用化。现在yes power technix的SiC功率半导体常用产品和研究成果使先进元件的国产化成为可能同时将成为巩固技术强国的自豪感和半导体发达国家自豪感的基石。
YASC 长飞先进

类型：制造商 产品数量：0

长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、产品：SiC外延片，分立式SiC肖特基二极管，分立式SiC MOSFET，SiC MOSFET裸芯片，SiC肖特基二极管裸芯片，SiC功率模块代工服务晶圆代工：长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备，完善的工艺流程和完整的工艺平台，涵盖SiC外延和器件，能够提供全面的工艺开发与技术解决方案，同时可以根据客户的需求，提供一站式代工流片服务。其中，芜湖基地年产6万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管；武汉基地可年产36万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、6100万个功率模块。莫桑实验室凭借其专业的科研团队、先进的实验设备和完善的服务体系，致力于推动相关产业的技术进步与产业升级。
SICHAIN 清纯半导体

类型：制造商 产品数量：0

清纯半导体成立于2021年3月，为国内的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
Bestirpower 萃锦半导体

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浙江萃锦半导体有限公司是浙江省高新技术企业，以Smart IDM模式，专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。 Wafer基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。随着技术的不断进步和成本的降低，预计SiC材料将在电动汽车行业中得到更广泛的应用，其高功率密度、效率、温度稳定性和开关速度等优势，将有助于推动电动汽车行业的发展，减少碳排放，为环保事业做出贡献。随着技术的不断进步，预计SiC材料将在电动汽车行业中得到更广泛的应用，为未来的可持续发展做出重要贡献。同时，碳化硅功率器件作为第三代功率半导体技术，因其耐高压，高开关频率和耐高温等优势在充电桩行业中的大规模应用，也必将是大势所趋。
SemiQ

类型：制造商 产品数量：0

是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 SemiQ（以前称为 Global Power Technologies Group）于 2012 年开始在其位于南加州的总部开发碳化硅技术，该公司还在那里种植 Epi 并设计设备。此外，SemiQ还提供功率转换应用专业知识，在3.3kW、6.6kW及以上逆变器的设计方面拥有丰富的经验。为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
RZC 瑞之辰科技

类型：制造商 产品数量：6

深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。基于MEMS（微机电系统）技术的传感器在出厂前都进行了严格的零点和宽温度范围补偿；变送器内置高性能电路，广泛应用于石油、城市煤气、水利、消防、船舶、家用家电、消费电子等领域。

传感器

压力传感器

芯片
DACO 罡境电子

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台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管凭借优秀的技术，领导罡境电子在功率电子半导体先进技术趋势中处于优越地位。在过去的几年里，罡境电子一直与为军事应用提供服务的公司保持合作关系，研究和制造符合军事规范的高功率整流模块。近年来，我们的研发团队一直在开发尖端技术以获得各种专利，并实施垂直技术来升级对客户的服务。由于我们在晶圆和封装组装方面的丰富背景，罡境电子在新产品设计方面拥有高水平的技术知识。）产品开发2013 可控硅整流器（SCR）产品开发2014 推出碳化硅（SiC）二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅（SiC）功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅（SiC）桥式整流器2023 碳化硅（SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
UnitedSiC 联合碳化硅

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利用美国 UnitedSiC 创新的设备技术加速SiC的采用，使客户能够为社会最先进的应用提供业界领先的电源效率，尤其是在移动性，IT基础设施和可再生能源方面。我们的愿景使用我们的创新设备技术加速 SiC 的采用，使我们的客户能够为社会最先进的应用提供行业变革级别的电源效率，特别是在移动、IT 基础设施和可再生能源方面。幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。致力于技术领先我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最小的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。
E-TRONIC 中科意创

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公司建有国际先进的车规功率模块封装产线，具备芯片贴片、丝网印刷、有压银烧结、真空焊接、铜线键合、真空灌胶、转模塑封、无损检测等先进的工艺技术能力，同时投资了动静态测试、功率循环、无功老化等关键测试设备，搭建了国内首条SiC TPAK功率模组大面积银烧结产线，将国际先进的封装技术引入国内，并顺利实现产业化。在上述基础上，推出车规功率模块/模组系列产品。公司深入研发基于SiC功率半导体的电机控制系统，包含：SiC 电机控制器，SiC 多合一域控制器，深度整合MCU\BMS\VCU\OBC\DC-DC等功能。电机控制器部分，搭载最新一代的SIC技术，大大提高了控制器效率，实现高功率密度。同时提供电池管理单元及整车控制单元需要的丰富的低边控制，模拟采集，IO输出等功能。 SiC功率模块M1系列(塑封半桥)M1模块可进一步提升新能源汽车主驱逆变器的功率密度，其专为宽禁带器件（如SiC Mosfet）在主驱逆变器应用而设计，是面向未来的新能源汽车所需要的功率模块解决方案，可以满足逆变器
LXPSEMI 澜芯半导体

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上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 产品覆盖1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等，已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流，对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定，现客户群体已覆盖光伏储能发展历程2022.06 澜芯半导体成立2022.12 天使轮融资2023.04——SiC MOSFET流片成功首批平均良率92%，达到国内领先水平2023.05——首笔收入技术服务收入~200万2023.06 ：LXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。

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