上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月，公司总部坐落于上海嘉定，在张江设有研发中心，是一家全栈功率芯片设计公司，产品包含碳化硅MOSFET，硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品。上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。产品覆盖1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等，已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流，对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定，现客户群体已覆盖光伏储能、充电桩、新能源乘用车等行业。
发展历程
2022.06 澜芯半导体成立
2022.12 天使轮融资
2023.04——SiC MOSFET流片成功
首批平均良率92%，达到国内领先水平
2023.05——首笔收入
技术服务收入~200万
2023.06——硅基VDMOS/SJ送样
已送客户认证，认证已通过，沟通客户，后期需求和下单
2023.07——单芯片流片
3款单芯片开始流片，产品系列化开豹
2023.08——可靠性通过
SiC MOSFET 1000小时175度HTRB/HTGB可靠性通过，可以给客户送样
2023.10——单芯片推出
1200V80mQ MOSFET量产；1200V40mQ MOSFET出样；1200V12mQ MOSFET出样
2023.12——新品预告
1200V60mQ MOSFET出样；1200V30mQ MOSFET出样；1200V14mQ MOSFET出样
主要产品
SiC：LXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。
IGBT：澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构，产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。
SJ MOSFET：为适应电源系统高效率小型化的需求，澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度，可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
产品申请表：请您根据您的需求填写产品申请表，以便我们更好地了解您的需求，并提供给您最合适的产品。
应用领域
汽车应用、工业应用
