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霍尔效应位置传感器

霍尔效应位置传感器,是一种非接触式装置,它将磁场中的能量转换成电信号。其原理是霍尔效应,这是一种在磁场环境中,电流流动导致电压产生的物理现象。

  • TE Connectivity Sensor Solutions 泰科电子 总共2条产品数据 点击查看 >

    • TE Connectivity Sensor Solutions 泰科电子 座椅轨道 霍尔效应位置传感器

      供电电压:4.75-5.25V(3.0至24V,IC范围)
      供电电流:17mA(最大值)
      功能安全性:ASIL A (B)
      变化率:90mA/μs(TYP,最小旁路电容器)
      响应时间(Ton):25μS(最小旁路电容器)
      工作温度范围:-40 - 85°C
      数位解析度:6位(Bop)
      断电状态电流:12.0 mA 至 17.0 mA
      测量范围:225mm(典型轨道)
      精确度(Bop):±0.24 mT(±0.25 mm,梯度值为1mT/mm)
      线性行程范围:30mm至40mm为检测范围(10mm转换死区)
      耐用性:优异的长期稳定性
      通电状态电流:5.0 mA 至6.9mA(2.0 mA至5.0 mA,可选)
  • Silicon Labs 芯科 总共95条产品数据 点击查看 >

    • Silicon Labs 芯科 SI7210-B-03-IVR 霍尔效应位置传感器

      RoHS:Y
      产品:Hall Effect Latches / Switches
      类型:Hall Effect Magnetic Sensors
      说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 I2C programmable Hall effect magnetic sensor with push-pull output
      寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。
      最大工作温度:+ 125 C
      最小工作温度:- 40 C
      封装 / 箱体:SOT-23-5
      封装:Reel
      系列:Si7210
      商标:Silicon Labs
      安装风格:SMD/SMT
      工作电源电流:400 nA
      工作电源电压:1.7 V to 5.5 V
      工厂包装数量:3000
      电源电压-最大:5.5 V
      电源电压-最小:1.7 V
      输出类型:Push Pull
      子类别:Sensors
      端接类型:SMD/SMT
      产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors
      分辨率:13 bit
  • Allegro 朗格 总共45条产品数据 点击查看 >

    • Allegro 朗格 A1330LLETR-T 霍尔效应位置传感器

      供应商:Allegro MicroSystems
      包装:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel®
      零件状态:有源
      用于测量:角度
      技术:霍尔效应
      旋转角度 - 电气,机械:0° ~ 360°
      输出:模拟电压
      输出信号:顺时针增加
      致动器类型:外磁铁,不含
      电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
      安装类型:表面贴装型
      端接样式:鸥翼
      工作温度:-40°C ~ 150°C(TA)
      封装/外壳:8-TSSOP(0.173inch,4.40mm 宽)
      供应商器件封装:8-TSSOP
  • Azoteq 总共4条产品数据 点击查看 >

  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 总共5条产品数据 点击查看 >

    • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52472NUZ-ZE2 霍尔效应位置传感器

      功能:全极开关
      技术:霍尔效应
      极化:北极,南极
      感应范围:±3.2mT 跳闸,±1.2mT 释放
      测试条件:25°C
      电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
      电流 - 供电(最大值):8µA
      电流 - 输出(最大值):500µA
      输出类型:CMOS
      工作温度:-40°C ~ 85°C
      安装类型:表面贴装型
      封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘
  • ifm 易福门 总共52条产品数据 点击查看 >

    • ifm 易福门 MK5300 霍尔效应位置传感器

      电气输出:Switched / Alarm
      电源要求:DC Powered
      电气连接:Cable: 2 m, PUR; 3 x 0.08 mm²
      工作温度:-13 to 185 F (-25 to 85 C)
      产品类别:Linear Position Sensors
      Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor
  • Crouzet 高诺斯 总共4条产品数据 点击查看 >

    • Crouzet 高诺斯 9960-360-NS-5A-DM450 霍尔效应位置传感器

      主体形状:Rectangular
      直径:2.01 inch (51 mm)
      长度:487mm
      电源要求:DC Powered
      宽度:2.01 inch (51 mm)
      尺寸:487 x 51mm
      制造商:Crouzet
      产品型号:9960-360-NS-5A-DM450
      工作温度:-40 to 257 F (-40 to 125 C)
      产品类别:Linear Position Sensors
      IP防护等级:IP67,IP69K
      Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor
      开关电流:16mA
      最大工作温度:+125°C
      最大直流电压:20V
      最小工作温度:-40°C
      测量技术:Hall Effect Position Sensor
      输出类型:模拟
  • Sensoronix 总共1条产品数据 点击查看 >

    • Sensoronix HL Series 霍尔效应位置传感器

      电源要求:DC Powered
      电气输出:Voltage; Current
      直径:0.3125 to 0.3750 inch (7.94 to 9.52 mm)
      主体形状:Cylindrical; Threaded Barrel
      长度:0.9500 to 1.5 inch (24.13 to 38.1 mm)
      产品类别:Hall Effect Position Sensors
      工作温度:-4 to 185 F (-20 to 85 C)
  • Honeywell 霍尼韦尔 总共32条产品数据 点击查看 >

    • Honeywell 霍尼韦尔 标准功率系列 霍尔效应位置传感器

      产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 数字位置传感器集成电路
      电源电压:3 Vdc 至 24 Vdc
      开关下降时间(90% 至 10%):最大 1.5 µs
      开关上升时间(10% 至 90%):最大 1.5 µs
      释放点:最小 2 G,典型值 4.8 G,最大 9 G;典型值 -130 G (25°C);最小 3 G,典型值 9.3 G,最大 18 G
      操作点:最小 3 G,典型值 7 G,最大 11 G;最小 6 G,典型值 14 G,最大 20 G
      存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F]
      供电电流:5 Vdc 时,最大为 8 mA
      输出类型:灌电流
      系列名称:标准功率
      工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F]
      漏电流:最大 10 µA
      励磁器类型:全向极性
      差压:典型值 5.7 G;典型值 2.2 G
      封装类型:SOT-23、袋卷带和卷盘,3000 件/盘;扁平 TO-92 式,标准直引脚,散装,1000 件/袋
  • Hallwee 霍尔微电子 总共58条产品数据 点击查看 >

  • Semiment 赛卓电子 总共33条产品数据 点击查看 >

  • 青岛新基智能 总共1条产品数据 点击查看 >

  • Sodowell 鑫道为科技 总共4条产品数据 点击查看 >

  • Honeywell 总共145条产品数据 点击查看 >

  • Comus Europe (ASSEMtech) 总共3条产品数据 点击查看 >

  • ZF Electronics 采埃孚 总共3条产品数据 点击查看 >

  • Fying fairy 飞仙智能 总共3条产品数据 点击查看 >

    • Fying fairy 飞仙智能 FI6900 霍尔效应位置传感器

      FI6900是一款基于霍尔效应的位置传感器IC。它可以感测作用于IC的磁场强度的3个分量(即Bx、By和Bz),利用该芯片,可以实现非接触式的位置传感器(例如,旋转角度位置或线性位移、行程)。FI6900提供多种输出方式,包括模拟、PWM、SENT、SPC输出方式。
  • Cosemitech 意瑞半导体 总共6条产品数据 点击查看 >

    • Cosemitech 意瑞半导体 CHI612 霍尔效应位置传感器

      电气输出:电压
      线性度:1.5 ±% Full Scale
      电源要求:直流供电
      工作温度:-40 至 150 C
      产品类型:可编程
      工作电压:4.5V~5.5V
      灵敏度范围:1-24mV/G可编程
      带宽:120KHz
      等级:工业级
      封装:TO-92S, TO-94, SOT-89
      静态电流:7mA
  • Conntek 昆泰芯微电子 总共1条产品数据 点击查看 >

    • Conntek 昆泰芯微电子 KTH5701系列 霍尔效应位置传感器

      KTH57xx是一款数字输出的3D霍尔芯片,内部分别集成了X轴、Y轴和Z轴三个独立的霍尔传感器。信号链采用高精度运放加16 bit ADC,将模拟信号转换成数字信号。外部MCU可以采用SPI或I2C两种模式读出测量数据。此外,在芯片内部集成了一个温度传感器用于磁场的温度补偿。 KTH57xx支持持续感应模式、睡眠唤醒模式和单次测量模式等多种工作模式,适用不同的应用场景。BUTT_OUT管脚用于检测磁铁与芯片之间的按键功能,并且也可以配置为Trigger模式,触发单次测量。 同时,KTH57xx集成了CORDIC算法,支持XY平面的角度输出,和平面磁场阈值检测,极大方便了旋钮和按键功能的应用。 芯片内部的运放增益可调,可适用于不同的工作磁场,为应用的磁铁选型和产品结构提供便利。此产品具有高集成度和运用灵活的特点,可以广泛适用于各种应用场景。
  • Kesens 凯晟动力 总共2条产品数据 点击查看 >

  • Mei An 美安矿山设备 总共1条产品数据 点击查看 >

  • Alltrans 遨全电子 总共1条产品数据 点击查看 >

  • Alfa Electronics 中科阿尔法 总共3条产品数据 点击查看 >

  • ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗 总共13条产品数据 点击查看 >

    • ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗 AS5510-WL_EK_DB 霍尔效应位置传感器

      产品种类:磁传感器开发工具
      供电方式:USB供电或9V电池
      分辨率:10 bit
      单位重量:286.405 g
      商标:ams OSRAM
      封装类型:WLCSP
      工作温度范围:-30°C ~ +85°C
      工厂包装数量:1
      接口类型:I²C
      气隙范围:约 1.0 mm
      测量范围(横向位移):0.5 ~ 2 mm
      系列:AS5510
      零件号别名:990600395, Q65114A1383
  • Standex Electronics 斯丹麦德 总共6条产品数据 点击查看 >

    • Standex Electronics 斯丹麦德 MH04-11S-300W 霍尔效应位置传感器

      RoHS:Y
      类型:Unipolar
      说明:工业霍耳效应/磁性传感器 Switch Function 35G Op, 25G Release
      最大工作温度:+ 85 C
      最小工作温度:- 40 C
      封装 / 箱体:-
      封装:Bulk
      系列:MH
      商标:MEDER electronic (Standex)
      安装风格:Screw
      工作电源电压:24 V
      工厂包装数量:10
      子类别:Sensors
      端接类型:Tinned Leads
      产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors
      电流额定值:4 mA
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